请教射随电子稳压电路问题

lin889889

mchoi518 发表于 2025-9-6 19:56
多谢大师热心回复

Q7 Q8确实耐压不够，我实际用的2SK246/J103，耐压50V，启动瞬间Vds应该达到80多V，
...

估计是C5、C6容量较小，不足以烧毁Q7、Q8。
要注意的是恒流源的管子完全没必要互补对称，全部可以用N管。而N沟耗尽型MOSFET耐压一般比JFET高得多，用在电压较高的场合做恒流源非常合适。

lin889889

317/337电流都不够的话，那负载电流就比较大了，或许Q1可以考虑改用2SD669。

柳暗花明

mchoi518 发表于 2025-9-6 20:02
多谢大师回复，

我觉得这么多回复里您说的最合理，，但是这个Q1用的是2SD756，CB耐压是120V啊，而且lh ...

如果Q1耐压足够，其他地方无论出什么故障，Q1的的CB结都没有击穿的理由。

柳暗花明

无语密码 发表于 2025-9-6 20:48
10uf电容短路接地时，当然会烧机了。

多动动脑筋，10uf电容短路接地只会烧场效应管，不会烧电源调整管和稳压二级管。

柳暗花明

mchoi518 发表于 2025-9-6 19:56
多谢大师热心回复

Q7 Q8确实耐压不够，我实际用的2SK246/J103，耐压50V，启动瞬间Vds应该达到80多V，
...

Q7Q8是接成恒流源组态的，上电后不容易出现雪崩击穿，不过这样应用还是不安全。建议用我的方案，用高反压的晶体管结成恒流源。

laoyezxp

要烧应该先烧下面那个2SA952,它的耐压才25V, Q7Q8风险次之，2SC2240根本不应该先烧，是否本身问题。Q7Q8耐压不够可以漏极串电阻啊，串了合适电阻基本还是原来的恒流啊。

king5555

mchoi518 发表于 2025-9-6 20:04
多谢大师，您这个是防止负载端短路吗？  我负载端功放板已经调试好几天了，今天下午其实已经都完成测试了 ...

大林顿会放大漏电流，因此必须吸收掉漏电流，否則輸出无法限压。不过你这个只要斉納二极管不过流，可以不要大林顿。

king5555

mchoi518 发表于 2025-9-6 20:04
多谢大师，您这个是防止负载端短路吗？  我负载端功放板已经调试好几天了，今天下午其实已经都完成测试了 ...

某天一业务说如何待机电流几乎为零，我说用晶体管当成开关，业务说晶休管会有漏电流，我说B、E并联电阻。

无语密码

柳暗花明 发表于 2025-9-6 23:04
多动动脑筋，10uf电容短路接地只会烧场效应管，不会烧电源调整管和稳压二级管。

不信，叫LZ再试试短路10U,看看是不是烧大脑了。

无语密码

稳压电路是很脆弱的，所以设计最好多考虑保护。包括单边故障是不是也能保护前置。有电解电容的地方，就有可能会出问题的

无语密码

做个认为是标准电路，标准负载，一定不会出问题。

mchoi518

lin889889 发表于 2025-9-6 21:22
估计是C5、C6容量较小，不足以烧毁Q7、Q8。
要注意的是恒流源的管子完全没必要互补对称，全部可以用N管 ...

多谢大师涨知识了，

我用N P JFET对管是因为手里的N管不够用~ 另外您说的高压用MOS这个挺好，但是MOS好像没有TO92吧？

317、337不是电流不够，应该是耐压问题，669我考虑一下，不行我把几个管子都换成to220的就足够强壮了~哈

mchoi518

柳暗花明 发表于 2025-9-6 22:49
如果Q1耐压足够，其他地方无论出什么故障，Q1的的CB结都没有击穿的理由。

您说的有道理，有可能这个Q1管子是以前调试功放拆下的，焊之前用晶体管测试仪测过的正常，但是有暗伤，

另外请教一个问题，2级射随有没有可能自激？  Q1的hfe差不多350，和他串接的Q3 MJE15032是hfe才78，hfe差异大了会不会自激？我在Q1的CB端焊的51p电容没啥用是吗？

mchoi518

柳暗花明 发表于 2025-9-6 23:26
Q7Q8是接成恒流源组态的，上电后不容易出现雪崩击穿，不过这样应用还是不安全。建议用我的方案，用高反压 ...

多谢大师，下次用晶体管做恒流源~  主要是手里的几个jfet怕浪费了，另外用jfet做横流电路简单~  下次重新做吧

mchoi518

laoyezxp 发表于 2025-9-7 00:29
要烧应该先烧下面那个2SA952,它的耐压才25V, Q7Q8风险次之，2SC2240根本不应该先烧，是否本身问题。Q7Q8耐 ...

多谢大师，学习了，原来漏极也可以串电阻~ 学习了

mchoi518

king5555 发表于 2025-9-7 01:13
某天一业务说如何待机电流几乎为零，我说用晶体管当成开关，业务说晶休管会有漏电流，我说B、E并联电阻。

多谢大师~   学习了，只要这个电阻两端电压小于0.65v三极管彻底关闭，是这个意思吧？

mchoi518

变压器是50W 双55v的，测了一下输出线圈内阻，一个8.1欧姆，重新仿真了一下启动时场管Vds和三极管Vcb，应该都安全， 目前看可能是Q1管子个体问题的概率大一些（有可能之前我用过的有暗伤）

Q1击穿时我记得很清楚，空载启动，当时市电240多V，空载变压器整流后90多V。

另外这个恒流源是2.5ma，给10uf充电0.2秒，输出端0.2秒就稳定了，速度还可以




不过上面这个电路对于高压稳压还是不够强壮，有很多隐患风险是事实，谢谢各位大师热心指导~

我现在就一个疑惑，2级射随在空载时会不会自激？

lin889889

mchoi518 发表于 2025-9-7 09:53
多谢大师涨知识了，

我用N P JFET对管是因为手里的N管不够用~ 另外您说的高压用MOS这个挺好，但是MOS ...

好多TO92的管子是越来越难买了。
可以试试BSS129。只是淘宝买元件要看运气

无语密码

mchoi518 发表于 2025-9-7 10:49
变压器是50W 双55v的，测了一下输出线圈内阻，一个8.1欧姆，重新仿真了一下启动时场管Vds和三极管Vcb，应该 ...

你这个电路属于稳压（D2/D3）+缓冲(Q1/Q3)，没必要顾虑的。没有反馈，就没有自激

mchoi518

无语密码 发表于 2025-9-7 11:55
你这个电路属于稳压（D2/D3）+缓冲(Q1/Q3)，没必要顾虑的。没有反馈，就没有自激

多谢大师明确的回复~