irfp240功率管曲测量线性非常差 最好不要用来做功放管

奥特曼李

从根本上说，bjt和mos的各项参数几乎都没有是纯线性的，说线性都是靠电路的各种“矫正”得到近似的结果，甚至各种参数曲线都是在某种电路下测量得的，不同信号幅度，不同频率对同一电路的响应都不同，更别说不同的电路了。只有在充分综合考虑管子的各项参数曲线得到最近似的模型才能去设计出最适合的电路。有时又不得不对管子选用，电路各方面的指标做出平衡和妥协。
尼尔森选用irfp240做功放管，我想他一定比我们对这个管子的有更全面的认识和电路设计经验。
至于说irfp240是替代品，我不这么认为，因为早在83,84年，就有人使用它的前身irf金封管设计功放并取得了非常优异的指标。参看https://www.cordellaudio.com/papers/MOSFET_Power_Amp.pdf

另外多一嘴，功率管到底是bjt还是mos做好，这个话题从来就吵得不可开交，公说公有理，婆说婆有理。本人是mos派

ue10

univers 发表于 2025-8-19 17:27
要想线性好一点，要选低夸导的，但是低夸导的功率又小。电路是一个妥协的产品！！！没有必要这么纠结。

这位大师说的是事实，PASS ALEPH电路大量采用244,放弃240，就是跨导低一点，线性略微好一些。

ue10

windguy2005 发表于 2025-8-19 16:50
与其在这里瞎BB，不如好好回去学习一下模电吧，基础知识都没搞明白。

没有全能的人，但不懂就默默地多 ...

你就会纸上谈兵，你用图示仪实测一下你手里所以的晶体管，看有没有你说的这种线性放的管！！ 好吧？？

不抬杠！  拿事实说话！！    我至少测量过几十进百的各种晶体管，还真没有找到你说的全程线性放大的管！！

ue10

zfl1211 发表于 2025-8-19 17:28
我只是就其DATASHEET上的两个图做比较，跟有没有用图示仪测试没太大关系吧。你实际测量管子的曲线跟资料P ...

在淘宝唯一专卖店买的，好不？

我手里也有1058 162，都是早期收集的，还是几十对，

zfl1211

ue10 发表于 2025-8-20 07:57
在淘宝唯一专卖店买的，好不？

我手里也有1058 162，都是早期收集的，还是几十对，

那你测下1058和162看看嘛

菠萝

用ID—VDS的测量曲线能看清线性吗？难道不是ID—VGS曲线看吗？

windguy2005

ue10 发表于 2025-8-20 07:56
你就会纸上谈兵，你用图示仪实测一下你手里所以的晶体管，看有没有你说的这种线性放的管！！ 好吧？？

...

没人跟你抬杠，你才是在抬杠。模电书上的基本概念你都认为是错的，你真是大师。
没有达到理想的线性，就认为功率放大管的放大区不是线性的，你真是有才。

你懂得理想元器件和现实元器件的概念吗？
现实中，也没有理想参数的电阻、电容，那你认为这些元器件是什么

这个论坛是公开论坛，大家都有权发表意见，请不要动不动就出口伤人，发表刻薄言论，以此表现你很有“才情“

mchoi518

上周学习jfet，看抖音视频截的图，给和我一样的新手分享~

红烧牛肉

ue10 发表于 2025-8-19 09:36
你用图示仪测试过吗？？
公布的PDF资料完全不符！！
我之前发过贴，购买40对ECX10N20\ECX10P20音频管 ...

你会不会理解错了线性呢？曲线簇间隔均匀才是线性，不是VDS那条线平直啊

ue10

zfl1211 发表于 2025-8-20 08:27
那你测下1058和162看看嘛

都是一个德行，开启电压低，ID-VDS曲线上翘，看跨导曲线也是典型对数缺陷，只不过跨导比IRFP240小很多!

ue10

红烧牛肉 发表于 2025-8-20 15:41
你会不会理解错了线性呢？曲线簇间隔均匀才是线性，不是VDS那条线平直啊

我测MOS管一般采用ID-VGS看跨导曲线！  ID-VDS看平直曲线，MOS管好不好，要看相同VGS情况下，VDS在0-30V区间的电流变化，好的管在1V-30V区间都是平直的，也就是说电流放大不会随供电变化而变化！！

川川

ue10 发表于 2025-8-20 18:00
我测MOS管一般采用ID-VGS看跨导曲线！  ID-VDS看平直曲线，MOS管好不好，要看相同VGS情况下，VDS在0-30V ...

有数据为依据，玩240/9240好了，那些1058/1530靠边站

docmd

川川 发表于 2025-8-20 21:37
有数据为依据，玩240/9240好了，那些1058/1530靠边站

英雄所见相同，小功率级必须用BJT，大功率后级必须IRFP240/250/640。无场不欢，

locky_z

1.看线性，就是要看输入特性（也叫转移特性），就是Vbe-Ic/Vgs-Id。
2.即使是BJT做输出级，并不是电流驱动BJT，因为基极端肯定并联这一个VBE倍压电路的恒压源，所以BT也是电压驱动，所以也应该看Vbe-Ic特性。
3.Vce-Ic/Vds-Id特性水平程度只代表其内阻，反而越水平，代表内阻越高。你可以看一下电子管300B这种，Vce-IC特性是接近垂直的，所以300B的内阻低。当然300B的间距是比较均匀的，线性也很好。但BJT只有不同Ib下的Vce-Ic曲线，然后结合Vbe-Ib曲线，变换成不同Vbe下的Vce-Ic曲线簇，但间距会差到目不忍睹。

docmd

locky_z 发表于 2025-8-20 23:03
1.看线性，就是要看输入特性（也叫转移特性），就是Vbe-Ic/Vgs-Id。
2.即使是BJT做输出级，并不是电流驱动 ...

所以差分级必须尽量提高电压放大倍数，不加射极电阻，差分级是相对来说最接近线性的，离线性最远的是电压放大级，而不是输出级。

ue10

locky_z 发表于 2025-8-20 23:03
1.看线性，就是要看输入特性（也叫转移特性），就是Vbe-Ic/Vgs-Id。
2.即使是BJT做输出级，并不是电流驱动 ...

你有点瞎扯了吧！！

MOS管，不管是大功率中功率，就拿国产IRFP610、9610，测量ID-VDS都是上翘的！！ 相比东芝管K2013\J313，测量均为水平的！！

并且测试波形，特别是方波，使用国产管后，方波严重畸形！ 而使用东芝管失真则非常低！！

不信你自己实验一下！  我为什么这么肯定，是因为我要寻找K2013\J313的代替品，在市面上买了十多种中功率MOS对管，最后发现国产管几乎都是垃圾！所以只要看到ID-VDS上翘的，基本可以认为是垃圾！

还有一个规律，N沟道比P沟道的管好很多，P沟道的中功率管90%的上翘！！

之前发帖上过图，这几天上不了图，不知道为什么！

uikyhuang

ue10 发表于 2025-8-22 09:45
你有点瞎扯了吧！！

MOS管，不管是大功率中功率，就拿国产IRFP610、9610，测量ID-VDS都是上翘的！！  ...

中功率场推动管停产好久了，假货太多

locky_z

ue10 发表于 2025-8-22 09:45
你有点瞎扯了吧！！

MOS管，不管是大功率中功率，就拿国产IRFP610、9610，测量ID-VDS都是上翘的！！  ...

以电子管为例，你看一下6P13和300B的输出曲线，
6P13是很水平，很平直的喔，300B是上翘的，接近垂直的。300B应该就是废管一只吧