UHC 准互补正温场效应管IRFP260功放（2N3958+IRFP260）

bazys

建议大家对这个电路容易出现故障的原因进行讨论，这样对有这板子的会有益处，单纯的肯定和否定都不是目的。

bazys

建议

univers

bazys 发表于 2018-9-13 06:56
建议大家对这个电路容易出现故障的原因进行讨论，这样对有这板子的会有益处，单纯的肯定和否定都不是目的。

玩UHC MOS的注意事项。也就下面几点，菜鸟多看看。。。。

MOS管是压控器件,不吃电流的，而BJT是吃电流的，她需要电流才能放大信号。那MOS管信号到来时，她的电流是剧增的，没错是剧烈增加的，当电流剧增时晶圆会升温，电流剧增瞬间耗散功率超标的话，那就会引发失控爆管，爆管的同时会把驱动级连带。
MOS管工作时，晶圆的温度是散热片温度的2.5倍左右，如果散热片工作到烫手，比如70度，那MOS管晶圆温度就是175度了，那么高的温度MOS管会失控崩溃，之后会引发爆管。
这个问题可以在功放的+-两端各串一个12V 30W-50W的灯泡，你开大音量，放几首歌，当散热片的温度热到烫手时，两个灯泡开始慢慢变红，静太电流变大，之后在十来秒左右，管子的静态电流增到失控状态，之后发生的事情你懂了。。。而当你用风扇强制制冷时，怎么开音量，怎么操都不会有问题，所以温度是导至MOS失控的根源,这也是这MOS管天生物理问题。

总结以上几点:
1：MOS功放不允许用手乱碰乱测输入端，开机要先开音源再开功放，关机是先关功放再关其它的设备，要碰要测请先断开电源。很多人用手机做音源也是存在静电风险的。
2：MOS不允许高温工作，高温会导至晶圆失控，引发爆管。（所有电子产品都怕温度，湿度，粉尘的）。
3：MOS大管锣丝一定要打紧，热耦关系不好话，热传不出去。也会引发爆管。

holts

univers 发表于 2018-9-13 12:09
玩UHC MOS的注意事项。也就下面几点，菜鸟多看看。。。。

MOS管是压控器件,不吃电流的，而BJT是吃电流 ...

可否加颗保险管，在暴管前熔断它 ？

diangong808

univers 发表于 2018-9-13 12:09
玩UHC MOS的注意事项。也就下面几点，菜鸟多看看。。。。

MOS管是压控器件,不吃电流的，而BJT是吃电流 ...

是的  尤其是正温管  不注意就烧

发烧求败

我做的正温管功放 采用58N20 48P20  静态电流四百多 从来未烧过管

13641149300

正温管还是要注意很多细节的，我装好试听，声音真的没得讲，比我以前上学装的甲类还好，底音很给力，还真的百听不厌，在换中功率管时，不小心还烧了大管，立刻就短路，电源有响声，不注意就立马烧电源，所以调试的时候最好是用保险丝，这样就不会煤电源，最多是烧管，还有烧大管，不把管换了还会烧的，我都试过好几次了

发烧求败

一定要有特殊手段 玩正温管才好玩

发烧求败

看看老顾的方案吧  稳定可靠

aug197468

如果有對技術不太有自信的朋友，想要裝好這個後級，只要將大管的0.1電阻換成0.22就可以大幅提高安全性，雖然這個電阻理論上是阻值要低，但是兩對大管並聯，用上0.22並不至於會有太大影響，更高的阻值就難說了

liao228

这次采购些元件，顺带帮本地一个做这个电路的朋友带了20对ZTX457/757，随后上配对

liao228

顺带挺好奇的问一句，楼主为什么用ZTX757和ZTX457，而不是用ZTX757和ZTX657呢？

univers

liao228 发表于 2018-9-25 16:29
顺带挺好奇的问一句，楼主为什么用ZTX757和ZTX457，而不是用ZTX757和ZTX657呢？

757/457是一对的，耐300V 0.5A 看DATASHEET

liao228

同为300V 0.5A

univers

liao228 发表于 2018-9-26 11:25
同为300V 0.5A

你也可以试试。

liao228

帮朋友的20对ZTX457/ZTX757做了配对，顺带可了解一下这型管的线性

gdst

好像ZTX457/ztx557   、ztx657 ZTX757 成对

univers

gdst 发表于 2018-10-12 11:25
好像ZTX457/ztx557   、ztx657 ZTX757 成对

你换了之后，音色区别大嘛？

gdst

没换，估计区别不大，双对管频率特性有差别而已


Type Designator: ZTX557

Material of Transistor: Si

Polarity: PNP

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 300 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 300 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 1 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C

Transition Frequency (ft): 75 MHz

Collector Capacitance (Cc): 10 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50


Type Designator: ZTX457

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 300 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 300 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C

Transition Frequency (ft): 75 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50



Type Designator: ZTX757

Material of Transistor: Si

Polarity: PNP

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 300 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 300 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C

Transition Frequency (ft): 30 MHz

Collector Capacitance (Cc): 20 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50
   


Type Designator: ZTX657

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 300 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 300 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 5 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 0.5 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 200 °C

Transition Frequency (ft): 30 MHz

Collector Capacitance (Cc): 20 pF

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 50