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从晶体管选型看NAIM电路设计合理性
在发烧友中具有极好口碑的NAIM电路并没有采用所谓“补品”原件,但其音质却并不逊色。一个重要特点是合理设计电路、优化晶体管工作点,以够用为原则,充分发挥每一个原件特点,好钢用在刀刃上,不盲目“堆料”,不“奢侈浪费”。下面以网上NAP135电路为例分析其晶体管选型特点。
TR1、TR2构成电路第一差分放大级。晶体管为BC239C,主要参数为:
VCEO=25V、IC=100mA、PD=350mW、FT=280MHZ、NF=2db、HEF=500;
属于小信号、宽线性、高频、高增益、低噪声三极管,非常适合小信号放大。TR1、TR2静态电流在0.6mA、0.4mA左右,低噪声的同时又具有足够的驱动能力。TR1负载电阻小,将其工作点在I-V图中上移,使其工作在更好的线性区内。TR2负载电阻大能够获得更大的增益,提高反馈控制能力。但牺牲部分差分级共模抑制比。
TR4构成电路第二电压放大级。晶体管为ZTX753,主要参数为:
VCEO=80V、IC=2000mA、PD=1000mW、FT=140MHZ、NF=XXdb、HEF=225;
没有看错,其额定电流确实为2000mA,几乎接近中功率管的级别,TR4静态电流在10mA左右,静态电流越大,其工作点在I-V图中越向上移,工作线性区越宽,高频特性越好,但如果超过20mA,管子的HEF将明显下降,前级推动会略微困难。虽然此管功率大,但其FT仍然达到140MHZ,高频特性优良。
TR9、TR10构成电路第一电流放大级。晶体管为MJE243、MJE253,主要参数为:
VCEO=100V、IC=4A、PD=15W、FT=40MHZ、NF=XXdb、HEF=100;
MJE243、MJE253为安森美主推中功率互补对管,在第二电流级没有采用对管的情况下,第一级对称性现得尤其重要。因其工作在甲乙类放大方式下,静态工作点主要考虑减少交越失真和散热功率即可。75W功率时平均工作电流约40mA。
TR11、TR12构成电路第二电流放大级。晶体管为MJ15003,主要参数为:
VCEO=140V、IC=20A、PD=250W、FT=2MHZ、NF=XXdb、HEF=50;
安森美金封管,100%经过5A@50V安全测试,是常见金封管单管功率最大级别。75W功率时平均工作电流约2A。
从以上分析可以发现,各级原件电流、功率分布非常合理,没有丝毫浪费,也绝没有“小马拉大车”的情况。各原件工作频率,都选择同级别功率情况下常规原件中能够达到的最高级,且电压放大倍数越大,FT越高,从整体上保证了电路频率响应。
电流级保护管TR7、TR8为MPSA06、MPAS56参数非常一般,主要特点是IC小于5mA时HEF非常接近,估计是能够找到的最便宜的对管了吧。
电流源TR3为MPSA06,估计主要看中其耐压和功率。
电流源TR6为ZTX653,同ZTX753主要参数类似,但IC在10mA~100mA范围内,ZTX753的HEF略大且具有更好的线性,ZTX653价格略微便宜一点。(真够扣门的)
热补偿管ZTX108有特点,其最导通VCE竟然可以达到0.1V,具有宽广的补偿范围,同时也意味其动态电阻非常小。
naim电流放大级前的RC网络也比较有特点。进行了高频补偿。由于厂家没有给出详细参数,所以不好分析。但一般NPN管高频特性优于PNP管,所以TR10的起始补偿频率点更低。另外从整体考虑,第二电流放大级上臂为共发射极放大,电压放大倍数略小于1,而下臂为共集电极放大,经过负反馈后放大倍数略大于1,所以下臂电阻略大。
以上拙见,还望大师指正。 |
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