JFE2140孪生场效应管 能代替2SK170吗？

geforce

ue10 发表于 2026-2-9 11:10
我现在采购了几千只国产K170，IDSS:3-6ma的

先看2SK170的文档数据吧，随着IDSS的增大，跨导也是直线上升，反过来说，随着IDSS下降，跨导大幅度降低，跨导越大的线性区越宽，你这GR档的国货，跨导能有多少可想而知了
V档的不是不好，而是太贵，谁愿意用低放大倍数的管呢

lin889889

不存在厂商不敢公布JFE2140的功耗参数的问题，厂商实际上公布了更为详细的参数，需要根据实际情况去计算允许的功耗。根据以下参数可以计算出JFE2140比2SK170的孪生对管型号2SK389有更大的功耗值。

ue10

geforce 发表于 2026-2-9 11:32
先看2SK170的文档数据吧，随着IDSS的增大，跨导也是直线上升，反过来说，随着IDSS下降，跨导大幅度降低 ...

你把这个图看懂了么？？？  这个是指数曲线，看跨导曲线，要看下面这个图：




还有，你说K170的V档比较贵，和IDSS较大有关系？
我觉得是V档使用较少，流通的更少，价格才被人吵起来的。

我手里有几百只东芝K170 V档管，IDSS=15-20MA还有100-200只，想用都没地方用，要不按K170 BL档一半价格给你？？

上面玩笑话，我想表达，JFET的IDSS并不是越高越好，反而我觉得BL档是做功放最合适的就是IDSS在6-12MA最合适。

ue10

lin889889 发表于 2026-2-9 14:14
不存在厂商不敢公布JFE2140的功耗参数的问题，厂商实际上公布了更为详细的参数，需要根据实际情况去计算允 ...

哪里有标注2140的PD？？  超过K170的PD=400MW了吗？？

还有2140的IDSS都偏大，VDS必须要降压，否则，你自己计算一下热耗吧！！  

JFET管发热后，IDSS飘移非常严重，这个问题，你不考虑吗？

lin889889

ue10 发表于 2026-2-9 21:10
哪里有标注2140的PD？？  超过K170的PD=400MW了吗？？

还有2140的IDSS都偏大，VDS必须要降压，否则， ...

人家给了你热阻和最高允许结温，会不会算允许功耗那是你自己的事。

ue10

lin889889 发表于 2026-2-9 21:15
人家给了你热阻和最高允许结温，会不会算允许功耗那是你自己的事。

这种封装的管，怎么可能有更高的PD??   

geforce

ue10 发表于 2026-2-9 21:07
你把这个图看懂了么？？？  这个是指数曲线，看跨导曲线，要看下面这个图：

那个图是让你明白跨导和IDSS的正向关系，谁给你看具体数啊
如果你会看，还会把那个“高达30mA IDSS”的错图当论据用？找乐

Leehong3101

ue10 发表于 2026-2-9 09:28
我来说实话吧！！ 肯定不行！！ 完全不是一个档次的！！  本来不想说的，但实在是看不下去了！ 不得不说。  ...

看了这么多，就你分析最到位，2140噪音配对，确实做得可以，但是在想同电流下，夸导（放大倍数）只是k170的一半这样，不只是少了“30%”，本来我也想买了，已付款，但是看到它的夸导，马上退货了。

Leehong3101

geforce 发表于 2026-2-9 23:25
那个图是让你明白跨导和IDSS的正向关系，谁给你看具体数啊
如果你会看，还会把那个“高达30mA IDSS” ...

可以看坐标刻度呀和截止电流，能看出来的，相同电流下，2140比k170小约一倍。

geforce

Leehong3101 发表于 2026-2-10 08:13
看了这么多，就你分析最到位，2140噪音配对，确实做得可以，但是在想同电流下，夸导（放大倍数）只是k170 ...

我也退款了，但感觉两者跨导差距没有一倍之多
读两个文档的输入特性曲线图，10m IDSS的2SK170跨导30mS，15mA IDSS的JFE2140跨导26.5mS，推算相同IDSS情况下的跨导相差30%是可信的
这就是差距

ue10

geforce 发表于 2026-2-9 23:25
那个图是让你明白跨导和IDSS的正向关系，谁给你看具体数啊
如果你会看，还会把那个“高达30mA IDSS” ...

首先，我不明白你说:高达30mA IDSS, 的错误图，是什么意思，反复抓住这点，再说这个也是官方PDF，不是捏造的。

其次，那个图IDSS=30MA，而夹断电压还是在0.7~0.9V左右，侧反映出更高的跨导参数。

还有，你没有搞明白，指数曲线与线性曲线区别，既然是指数曲线，哪来的正向关系？

另外，我发这贴并不是想和你抬杠什么的，只是想提醒这论坛的上新手朋友，认真了解一下JFET，不要偏听偏信，要有自己见解才行！

我在放二张测量图片，希望能帮助大家理解JFET管的特性。

上面这张是测量东芝J74的，最上面那一条曲线，IDSS=9.6ma左右，而夹断电压VGS≈0.31V, 因此说明东芝J74的跨导还是很高的，到目前为止，市面上没有比它更高的管!另外手册上J170\J74均标注Yfs=22ms, 实测高于K170，在电路中测试也印证，J74跨导略高于K170。

还补充点：IDSS与跨导不是正比关系，具体是什么关系，可以从这张测量图上自己慢慢琢磨，我就不多说了。



这张图片都是测量国产K170 GR管的跨导曲线的，我觉得也很有代表性。
若是，把二只K170管，并管后，跨导会增加1倍，这个是新玩法!  
优点：2倍跨导、2倍PD、而且价格低廉、不比2140香吗？   
很多朋友会问，这个需要配对！  对，的确需要配对，完全可以自己做一个IDSS配对板，全部成本不超过50元，配对超快！！
我自己就是这样做的，若有朋友需要，我可以把我做的配对板电路放出来。

下面的小字可能看不清，论坛图片压缩的原因。

MT4S301

ue10 发表于 2026-2-10 10:56
首先，我不明白你说:高达30mA IDSS, 的错误图，是什么意思，反复抓住这点，再说这个也是官方PDF，不是捏 ...

感觉你是来卖K170.J74的


为避免论坛用户遭到误导，改定添付如下说明：
1、2SJ74的跨导的确非常高.但2SJ74的输入电容极高（大致100pF）

2、更新世代、新工艺生产的JFET管虽然跨导不比2SJ74高但输入电容小很多（10p甚至更低）
例如2SK3557跨导20mS（电流3mA）输入寄生电容11pF左右：

又如CPH3910跨导16mS（电流3mA）输入寄生电容仅6pF：

3、关注输入寄生电容的意义是什么？答案是并联。
假设静态电流保持一定：n颗相同FET并联后跨导升为根号n倍、输入寄生电容升为n倍。
若以CPH3910替代2SJ74（两者电流均3mA）按输入寄生电容看齐可并联16颗cph3910，且跨导为16mS×根号16=16×4=64mS
反观一颗2SJ74此时只有22mS跨导，仅为16并联CPH3910的30%

minor

山寨170的噪音，可以用恐怖来形容。不过没关系，反正这坛儿跟低噪设计也没啥关系，开开心心继续玩好了。