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88# chen007
不用谢,
增益计算:Av=Vin/Vout,
Vin=Vgs
Vout=Vq1out,
Vgs=Ids*(Rgsq1+Rs)=Ids*(1/gm1+Rs),
Vq1out=Ids*(Rd//Rq2),因为Rq2>>Rd 因此得:Vq1out=Ids*Rd,
因此 Av=Rd/(1/gm1+Rs),
如果是2SK170 ,gm=20mS( 毫西门子),
Rs=10,
代入公式,得: Av=1000/(1/0.02+10)=1000/(50+10)=1000/60=16.7
放大倍数16.7,如果阁下使用2SK170,可以调小Rd为600欧姆.
如果使用2SK30A,gm=1.5mS
Av=1000/(1/0.0015+10)=1000/(667+10)=1000/677=1.5,放大1.5倍,在电压够高时(在保证晶体管的Vds足够的情况下,这也可以理解高文前级60V供电的用意),可以将Rd调整为6.8K(10倍放大)但这时对于Idss较大的JFET供电电压恐怕要达60V以上了.
或3.6k(5倍放大).
说到这里,有些网友可能会说,你增大Rs降低Id不就不用升高供电电压了吗?是一种解决办法,但我仿真的结果看来这两种处理方法的后果是有较明显的差别的,增大Rs后AC分析的结果明显变差(这也可能是高文前级正负60V供电的内在原因).而在保证Vds足够的情况下,调整Rd时AC分析的结果没什么变化. |
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