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 楼主| 发表于 2013-12-26 22:59 | 显示全部楼层
panyu6668886 发表于 2013-12-26 22:56
悄然,可以这样理解SZ两种绕法吗?
微观世界太奇妙。

有点差别,但是可否算出分布电容那个大?是分布电容不是电位差

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发表于 2013-12-26 23:00 | 显示全部楼层
情兄,我感觉您是高技术的专才,我就是瞎掰,对与不对,勿笑。

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:00 | 显示全部楼层
panyu6668886 发表于 2013-12-26 22:56
悄然,可以这样理解SZ两种绕法吗?
微观世界太奇妙。

你的图很明显是Z分布电容大啊

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:07 | 显示全部楼层
yountime 发表于 2013-12-26 23:00
情兄,我感觉您是高技术的专才,我就是瞎掰,对与不对,勿笑。


高不高先别说,我只是喜欢有人讨论,讨论才有进步,多谢你感兴趣,我这个计算的确存在问题,但是我一直无法找到正确的计算方法,但是这个不影响这个S
绕发跟Z绕法的关系,我这个计算方法错在,前面这个C到后面是越来越小,到底是比C大啊(C+)还是比C小(C-)到底是减少多少呢?我试过C-1/4=3/4C,C-1/5C=4/5C,这样就变成越往后越大了,头疼就是这个问题

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悄然无神 发表于 2013-12-26 22:59
有点差别,但是可否算出分布电容那个大?是分布电容不是电位差

水平有限,莫法。

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:12 | 显示全部楼层
panyu6668886 发表于 2013-12-26 23:10
水平有限,莫法。

那你认为那个大呢?

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:15 | 显示全部楼层
panyu6668886 发表于 2013-12-26 23:10
水平有限,莫法。

你好,兄会仿真吗?我不会,兄仿真一下频响就知道大概了

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发表于 2013-12-26 23:26 | 显示全部楼层
会不会跟B+的方向有关?初级的串联方式有关?系数试试“根2”或“根3”。

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:28 | 显示全部楼层
yountime 发表于 2013-12-26 23:26
会不会跟B+的方向有关?初级的串联方式有关?系数试试“根2”或“根3”。

如S绕法,从左大到右小的分布电容,不知道怎么减少法

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悄然无神 发表于 2013-12-26 23:12
那你认为那个大呢?

S绕法中,A点与C点,也就是电位差最大的在一起,频率越高衰减也越重,A点到B点与C点到B点对高频的影响是越来越小的。Z绕法中,A点到B点,B点到C点对高频的影响是一至的.哪个分布电容大,我是真的说不清楚。

点评

先分解分布电容,电位差我已经算好了  发表于 2013-12-26 23:38

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悄然无神 发表于 2013-12-26 23:15
你好,兄会仿真吗?我不会,兄仿真一下频响就知道大概了

这个应该仿真不出来。

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:37 | 显示全部楼层
panyu6668886 发表于 2013-12-26 23:10
水平有限,莫法。

在,你的图画小了几个个电容,在J1J2图1与13之间各自增加个个电容。3与13并个电容,6与9各串个电容 225518ln7n2bdvvvg97pdi.jpg 改了帮忙发上来

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 楼主| 发表于 2013-12-26 23:39 | 显示全部楼层
panyu6668886 发表于 2013-12-26 23:36
这个应该仿真不出来。

Z绕法也同样小了这几个电容

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发表于 2013-12-27 02:18 | 显示全部楼层
悄然无神 发表于 2013-12-26 20:29
我上面的意思是Z绕法电容竟然比S绕法的大,因为层间电位差没有S绕法大,所以感觉Z绕法像是分布电容小, ...

自相矛盾的话

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发表于 2013-12-27 02:37 | 显示全部楼层
悄然无神 发表于 2013-12-26 23:28
如S绕法,从左大到右小的分布电容,不知道怎么减少法

线与线之间只要紧密藕合其等效电容是串在一起的,可以微考虑,主要是层与层间的电电容比较难处理些,有时候可以考虑加大层问绝缘厚度但藕合度不好,所以至今我都在思考怎样减小法。再说分布电容主要是对高频影响,而高频率信号是有集肤效应的,,于是又突然想到一个怪法,单独处理高频信号,也就是由一声道一个输出牛变成两个,高低各一个单独通道,这样可以很痛快的解决问题了

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发表于 2013-12-27 09:32 | 显示全部楼层
s.JPG
z.JPG
悄然,我有一些不成熟的想法,不知道对不对,请批正。
相同线包制作方式(层层垫纸、紧密平排),同样尺寸和线径的S绕法和Z绕法的分布电容大小应该是一至的,但是对高频的影响是不相同,S绕法第一匝由于电势较高,对高频的影响最严重,接下来是越来越弱,如果线包的宽度较窄,线径较粗,采用S绕法是合适,Z绕法的每匝对高频的影响是差不多的,所以线包较宽,线径细点的可以使用Z绕法这种方式。
以上的观点因为停留在较表面的认知度,不对以及不足的地方请悄然及各位大侠指正。

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发表于 2013-12-27 15:36 | 显示全部楼层
悄然无神 发表于 2013-12-26 20:29
我上面的意思是Z绕法电容竟然比S绕法的大,因为层间电位差没有S绕法大,所以感觉Z绕法像是分布电容小, ...

明白了,谢谢悄然无神高手,

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悄然无神 发表于 2013-12-26 22:20
我也曾几何时一度觉得这个计算方法有错误,但是一直找不到错误地方,这些图不是在我脑海里面一两天了, ...

为了充实DIY这块广袤天地,大师们都累着了。

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panyu6668886 发表于 2013-12-26 22:56
悄然,可以这样理解SZ两种绕法吗?
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坛子里的高手如云啊

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FU81 发表于 2013-12-27 02:37
线与线之间只要紧密藕合其等效电容是串在一起的,可以微考虑,主要是层与层间的电电容比较难处理些,有时 ...

FU81高手你说的是不是分频法。
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