JFET BOZ

cactus2 · 发表于 2026-8-8 20:11

liujian2024 发表于 2026-8-8 20:04
把变压器转动90度安装，50Hz漏磁会小些

变压器拿出来了，其实星型接地，电容电位器外壳接地，就改善好多，在我的求助帖里有截图

cactus2 · 发表于 2026-8-10 09:21

发现这个电路适合我等小白练手，练习REW测试，理解负载线抵消，甜点，理解2次谐波，3次谐波，听不同H2/H3 的声音

ob44474 · 发表于 2026-8-13 13:44

学习了

cactus2 · 发表于 2026-8-15 18:46

本帖最后由 cactus2 于 2026-8-15 19:15 编辑

之前输出电压太高，应该有削波了

把输出控制在1Vrms左右重测

发现THD最低时工作电压是15.2V, 然后测了此位置音量调低后的THD

矛盾一直在

H2 低时 Vd 就低偏离中点很多，头疼

感觉这个电路器件的IDSS高点好些

cactus2 · 发表于 2026-8-15 18:48

刚好亿达电子的K170到了，很便宜，说是大马产的，也不不知真假，试试看

cactus2 · 发表于 2026-8-15 18:57

本帖最后由 cactus2 于 2026-8-15 19:28 编辑

袋子上写的 IDSS 9.3ma, 实测离散很大，买了8个从8.7 ---9.4 分布，勉强配了2个9.1ma左右的

比伟良卖的K170 要小一圈，伟良袋子上写的9.3，实测7.8ma

IDSS 越高，最优工作电压越高

实测也如此，考虑到降低H3, Rs调到16欧，一顿Vcc扫描，最低工作电压18V

调节Vd 在最低H2 电压和 1/2Vcc 之间找平衡点，看总的THD 和 H2 H3 大小，以及H2/H3的大小

最后选定Vd=5V，虽然不是正中点，但摆幅也够用

测了电位器 11档 10档 9档的THD，下图FFT 是11档输出2.87Vpp的THD，我试听基本在7档， THD 应该更低

升级了声卡，洞洞板星型接地，电位器外壳接地，电容外壳接地，变压器移出后 50Hz比之前的明显减少

cactus2 · 发表于 2026-8-15 19:04

目前亿达电子的K170 已经听了2小时，似乎可以，没有爆音，声音也不错

立创的 QNHCHIP(乾能惠) 一直没货，
在华秋买了最后5个，比立创贵点点，还没到货，慢死。

到货了在测测国产的如何

先听听所谓的大马的

hzy1234 · 发表于 2026-8-15 19:07

楼主用的什么软件扫描？

cactus2 · 发表于 2026-8-15 19:09

hzy1234 发表于 2026-8-15 19:07
楼主用的什么软件扫描？

REW V5.4 Beta 124 原装支持中文

hzy1234 · 发表于 2026-8-15 19:14

哦。原来那个表格是自制的。

cactus2 · 发表于 2026-8-15 19:18

hzy1234 发表于 2026-8-15 19:14
哦。原来那个表格是自制的。

一边测，一边填表格

hzy1234 · 发表于 2026-8-15 21:31

本帖最后由 hzy1234 于 2026-8-15 21:35 编辑

楼主用什么声卡？我看到底部100KHZ还是一条平直线，使用什么样的衰减盒？方便发个照片图纸之类的么？我的声卡到50khz后底部就上翘。信号输出旋钮开到90%，输入旋钮开了约5%。

cactus2 · 发表于 2026-8-16 10:19

本帖最后由 cactus2 于 2026-8-16 10:21 编辑

hzy1234 发表于 2026-8-15 21:31
楼主用什么声卡？我看到底部100KHZ还是一条平直线，使用什么样的衰减盒？方便发个照片图纸之类的么？我的声 ...

USB ASIO 声卡采集卡 XMOS 2通道录音播放指标测量ES9018 ES9822

https://item.taobao.com/item.htm ... le.1.64542e8dNULHiW

闭环测试高频有点噪声，不过很低

忘了声卡输出多少测的，好像默认-12DB Vrms=830mv测的

没有衰减

cactus2 · 发表于 2026-8-16 10:59

本帖最后由 cactus2 于 2026-8-16 11:10 编辑

调试心得

此电路最低失真工作电压随IDSS变动，IDSS越高，电压越高。计算公式见本贴  3楼
Rs  Rd 用可变电阻，方便调试
电源用可调稳压电源，要调不同工作电压
电流很小10ma左右，5W变压器绰绰有余了。

此电路适合高IDSS的K170

H2抵消点（也就是PASS提到的负载线抵消）远低于1/2V_opt ，相应Vd也低
负载线抵消仅抵消H2, 不抵消H3, 抵消点是 H2 相位反转的地方，范围很窄，电压变化一点，THD变化很大

整体THD最低工作电压略高于H2抵消时的电压，依旧远低于1/2V_opt ，相应Vd也低

带来的矛盾点：
要THD 低，Vd也低，摆幅不够
所以高IDSS的K170会好点， Vd 虽不在中点，但相对较高的Vd摆幅会大些。

换了IDSS 9.1ma的K170 感觉好多了

H2 越靠近抵消点越小
H3 需要增大Rs增加本地负反馈，同时会减少增益
   越靠近中点H3越少

你想要JFET BOZ声音有什么取向，需要调整Rd, 使Vd变化，看个人喜好确定Vd
Vd 靠近H2抵消点， H2变少， H3增加，会变冷，硬，清晰， 1/3的人喜欢
Vd  向中点靠近，H2变多，H3减少，会变暖，柔和，1/3的人喜欢，我属于这1/3

目前我的V_opt 18V , Vd=5V ，Rs=16欧， H2远大H3 是我喜欢的比例

不到2元的K170听了6小时了，没听出区别，等待国产的K170到货,期待国产表现。

cactus2 · 发表于 2026-8-16 14:31

国产QNHCHIP 的到货，写的BL档，但是一个13ma, 2个 13.8ma左右， 2个 14.1ma左右，这品控

一下没兴趣测了，也测不了，用13.8的测，最佳电压在24V ,我的变压器18V, 稳压和滤波有压降，到不了

无语密码 · 发表于 2026-8-16 17:47

感觉与HIHI差别比较大，初玩，最好不要接入稳压，否在获取经验值少。稳压容易把设计缺陷给隐藏的。

当接入稳压后，感觉不出好在那时，就说明设计是巅峰了

cactus2 · 发表于 2026-8-16 19:40

这个电路要可调电压，寻找H2

cactus2 · 发表于 2026-8-16 19:41

抵消的点

shx · 发表于 2026-8-23 18:26

输出电阻？475欧还是4.7M欧？

cactus2 · 发表于 2026-8-23 21:23

shx 发表于 2026-8-23 18:26
输出电阻？475欧还是4.7M欧？

475

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