JFE2140孪生场效应管 能代替2SK170吗？ 我来说说！！

ue10

laoyezxp 发表于 2026-2-9 16:32
你内行说说看，你不会认为JFET一直工作于IDSS的电流下吧？所以拿IDSS和VDS算功耗，那是最大功耗不是工作 ...

不废话，也不要抬杠，看图片说事
这是K170官方PDF，

这是我之前做的图，再拿来说一下
首先测量K170的IDSS前提条件VDS=10V， VGS=0V，测量ID就是IDSS，就是把K170的G、S脚短接，接0V，而D脚接10V。测量的ID数据
你看看上面2个图，VGS=0V一直测量到VGS夹断电压，形成一条曲线，这个曲线在VGS=0V时，是接近直线的，对吧，当VGS=-0.2V后，就变曲线了。
因此，电路设计首先会选VGS=0V附近为工作点，这时候ID就在JFET管的IDSS附近！！ 换句话说，2140管，IDSS=20MA情况下，最低你要设置在10-20MA范围才是合理点
你怎么设计电路，也不可能把IDSS=20MA的2140管，让它工作在IDSS=1~2MA吧？？？虽然可以实现，你的只需要给2140的G级提供-0.8~1.2V电压就好，这就已经快到夹断电压了！！

ue10

MT4S301 发表于 2026-2-9 19:37
你知不知道并联2个同型号FET可以让跨导乘根号二，还能让每管功耗除以二？
前提是要基本匹配好的2颗管 ...

这是我几年前找J74配对管，采用假的J74，二管并联后，跨导的确增加一倍，但是还是达不到东芝J74。

不过后来还真被我找到一款P沟道的JFET，并管够，跨导非常接近东芝J74，于是一口气采购2000之2，配对后并管，然后在测量配对，与国产K170的IDSS非常完美结合，已经成功使用在我的PASS XA30.8功放电路上了。

ue10

geforce 发表于 2026-2-9 17:36
这和那个算纯甲类功放的帖子一样，有人就拿V/R的结果当静态电流用
JFE2140的输入特性应该是这样的， ...

不要嘴硬，拿事实说话吧。
先看看这个单K170应用的电路图，这个电路是PASS ACA，大家都熟悉，我们来分析这个电路
看看K170的工作点： VDS=14.8V，VGS≈3.9~4.2V，而工作ID是≈4.2MA，为什么是4.2MA，因为需要通过R9后，给Q1的G级提供一个工作电压，使Q1的静态电流在1.5A左右.
上面是电路设计的基本工作点，理论上K170选择IDSS=4.2MA的管是最理想的，但在实际制作过程中，K170管的IDSS在4-20MA，那么这个电路为什么还能工作？
其实就是通过P1可调电阻，给K170提供一个-VGS电压，使K170的静态电路下降， 达到电路工作点要求，但使用IDSS=20MA管与IDSS=4.2MA管有什么区别呢？
我认为就是放大器线性平直度的区别，如下图所示




再拿一个图举例：

这个电路使用了K170\J74对管，如图，对于K170的VGS=0V，VDS=7.8V，  而J74的VGS=0V，VDS=-7.8V， 而这二管的IDSS必须配对，
而这个电路的IDSS是无法改变的，即使VDS有很大变化，IDSS变化也不大！.

我测试过东芝K170 BL管，大致数据如下：在VDS=10V下，IDSS=10MA，在VDS=3V时，IDSS≈9.8MA,  在VDS=15V时，IDSS≈10.2MA！
因此，VDS的高低对，IDSS的影响不大。
但温度的影响远高于VDS电压的影响，测量大致数据如下：在VDS=10V下，室温25°，IDSS=10MA，换成室温5°，测量IDSS≈9.4MA，在室外在35°时，测量IDSS≈10.4MA

总结下，我这个贴想说明什么呢：  
1、  JFET管K170\J74的在工作中的最佳静态电流是在IDSS附近最佳。
2、  IDSS比较高的管，比如,IDSS >15MA的，工作时，必须考虑降低VDS电压，减少PD功率，降低发热，提高电路稳定度。

laoyezxp

ue10 发表于 2026-2-9 20:09
不废话，也不要抬杠，看图片说事
这是K170官方PDF，

甲乙类放大器每一级管子静态电流不可能都能选择线性最好的区域，甲类也做不到，那样理想状态各级电流异常的大。你发的官方JFE2140那个放大电路图工作电流不超过2mA。它的供电才4.5V为何不把电流设成IDSS功耗肯定没问题。JFET电流选太小是容易进入夹断区，但电流选在IDSS附近容易进入GS结正偏的失控区，静态电流大造成功耗大噪声大也不可取，关键看用在哪一级的动态范围状况。

ue10

laoyezxp 发表于 2026-2-10 02:42
甲乙类放大器每一级管子静态电流不可能都能选择线性最好的区域，甲类也做不到，那样理想状态各级电流异常 ...

真不知道你是不懂，还是装懂？？

1、使用J74与K170组合的电路，工作点基本都是选择在IDSS附近，这就是很多懂行的玩家在购买JFET管时，需要指定IDSS范围的原因！！

2、一些电路在J74与K170之间增加一个可调电阻，目的就是可以调整JFET的IDSS电流，以适应IDSS范围更广的JFET管，但绝对也是在IDSS相对线性区（即1/2 区域内）；
    绝对没有哪一个电路，把IDSS=20ma的管，用在ID=2MA的电路，因为这样做存在严重问题：1、跨导成指数下降，2、很容易进去截止区域。

3、 把JFET最佳线性工作区域，硬要和甲乙类功放功率大管工作扯一起，显得你很无知而已！ 因为二者就不是同类管，工作模式、环境完全不同！


最后声明一下： 我发这贴不是针对任何人，只是想提醒新手朋友认识一下JFET的特性，不要偏听偏信，要了解学习JFET管，才能知道如何应对！！

我也是一步一步测量、学习、不懂就问，或虚心学习，没有不对！  这才是DIY玩家应有的心态。

laoyezxp

AI了一下，IDSS越大选择静态电流越大肯定是对的，下面是AI内容：

JFET的静态电流（即漏极电流ID）通常‌不直接设置为IDSS‌，而是设置为IDSS的一个‌比例值‌，以确保器件工作在放大区并获得最佳性能。

IDSS（饱和漏极电流）是指当栅源电压VGS=0V时，JFET在饱和区所能通过的最大漏极电流。如果将静态电流直接设为IDSS，意味着VGS=0V，此时器件虽然导通，但其工作点非常接近饱和区的边界，对器件参数的离散性和温度变化极为敏感，容易导致失真或工作不稳定。

在实际应用中，尤其是作为放大器使用时，JFET的静态工作点（Q点）通常被设计在IDSS的‌20%至50%‌之间。一个广泛采用的经验法则是将静态电流设置为‌约0.5 × IDSS‌（即IDSS的一半）‌
1
2。这种偏置方式具有以下优势：

‌工作在放大区中心‌：使器件具有最大的线性动态范围，能有效放大输入信号而不易进入截止区或饱和区。
‌降低对参数离散性的敏感度‌：JFET的IDSS和夹断电压VP存在较大个体差异（例如2N5457的IDSS范围可达1mA–5mA）‌
4。将静态电流设为IDSS的一半，能更好地适应这种差异，提高电路的良品率和稳定性。
‌优化噪声和线性度‌：在仪表放大器和运算放大器的输入级中，这种偏置方式能兼顾低噪声和良好的线性特性‌
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2。
因此，设计JFET放大电路时，应根据具体型号的IDSS值，通过选择合适的栅极偏置电阻或源极电阻，将静态漏极电流稳定在‌0.5 × IDSS‌左右，而非直接设为IDSS。

粤北山野

工作电流2毫安，饱和电流5毫安够用了。

粤北山野

N-JFET（例如2SK170），和电子管6N1都是左特性（反偏），耗尽型。IDSS类似最大阴极发射电流，静态电流通常小于一半。