JFE2140孪生场效应管 能代替2SK170吗？ 我来说说！！

ue10

如题：我的答案肯定不行！！ 完全不是一个档次的！！  论坛上说实话的人真的不多，本来不想说的，但实在是看不下去了！ 不得不说。  

首先：看看PDF手册数据，我们对比东芝K170数据：

1、VGS截止电压，因为涉及跨导（放大倍数）的问题，2140在IDS=100uA时，是-1.2、-0.85、-0.7V，而K170 GR在-0.2V，BL在-0.4V，
2、IDSS电流，2140在12、18、23ma,  而K170, GR档：2.6~6.5ma ,  BL档在6~12ma,  V档10~20ma;
从这2组数据上能说明什么？  很多人可能不知道， 但我这几年一直在琢磨这块， 因此就我得出结论：
A.   2140的跨导比K170小30%左右；与国产K170差不多！！
B.   致命缺陷：  IDSS太高，比K170的V档还要高！  要知道IDSS高并不是什么好事！  
因为，K170手册标注：PD=400mW,   但2140手册上不敢标注！！  
在实际应用中，K170 GR档可以VDS工作在+20V环境下, BL档+15V，V档在+10V；  因此K170的IDSS测量数据均以VDS=10V为准，制约VDS主要一个原因就是PD功率因素；
JFET管发热后，热漂移非常大！  这个问题是限制JFET管主要问题，电路设计者不得不考虑！！

  
再说说跨导的问题，就是放大倍数问题， 从曲线上2140肯定是低于K170的，再加上VDS使用时要低很多，因此实际使用中的放大倍数要远低K170一倍以上（估计，没有实测数据）；


从2140的手册上，看到典型应用电路，的确印证我的看法。   

最后结论：
1、  JFE2140是不能直接代替K170的；   因为：
   （1）JFE2140的VDS必须控制在10V内，最好是5V内，才能保证热稳定性；
   （2） 较大的IDSS 势必需要调整周边电路，是不可能直接代换K170的！！
2、 2140并不经济， 要代替东芝K170，还不如使用国产K170，除了跨导略低30%左右，其他基本上可以直接代换东芝K170；
国产K170相比2140要更经济，市面上零售0.3元一只，唯一要注意的事，就是国产K170的IDSS一致性较差，BL档从0.3~15ma均存在，所以可以多花一点点钱买配对过的，也比2140划算！

mxwmke1

孪生管一致性好，代换时修改一下外围参数能稳定地工作也是可行的。当然，原型号更换最省心。

swsw4321

哇，要工作在线性区，差分级电流要20mA以上了，那不烫死

geforce

swsw4321 发表于 2026-2-9 12:17
哇，要工作在线性区，差分级电流要20mA以上了，那不烫死

没有20ma，因为他引用的图表是错的

a399288395

这个有什么好争议的呢；都不用怀疑了； 肯定是不行， 型号都不一样，封装也不一样，参数也不一样， 但是170停产没货，难道就不玩HIFI了？ 好比人不能因为没有大米吃就不能不吃小米吧； 2140也不是不能用， 外围参数需要对应的调整。 天龙好几款型号都是用的这个管子。   闹芯片荒的时候 LM3886 卖出了天价， 我们照样用93 94玩。 何必跟着JS的套路走， 玩自己的DIY，怎么折腾都行。 对于特别纠结的 只认准170的， 即使10000一只他也会买。

laoyezxp

swsw4321 发表于 2026-2-9 12:17
哇，要工作在线性区，差分级电流要20mA以上了，那不烫死

他认为JFET管静态电流都必须工作在IDSS的状态下，所以得出VDS最好5V否则功耗大稳定性差结论，把最大电流当作连续工作电流。2140手册上的那个电路如果JFE2140静态电流就是IDSS根本就无法工作，早处于饱和状态了。

ue10

mxwmke1 发表于 2026-2-9 12:02
孪生管一致性好，代换时修改一下外围参数能稳定地工作也是可行的。当然，原型号更换最省心。

PD功率小，IDSS大、跨导也小很多，直接代换肯定不行。

但要想使用，也是可以，需要修改周边元件调整工作点：  
1、 VDS要从10-15V降到5V内，要不然的话，会因为发热严重而发生温漂、甚至损坏。
2、 根据IDSS重新调整周边元件的工作点。
3、 放大增益至少下降3db，这个也要考虑。

至于一致性好，只要认真配对，国产K170可以超过2140!  
如题：  2140肯定不能直接代替K170，特别是有J74的电路，就不要再想了。

ue10

geforce 发表于 2026-2-9 12:36
没有20ma，因为他引用的图表是错的

我这个也是网上下载的，什么叫错误？？

ue10

a399288395 发表于 2026-2-9 14:10
这个有什么好争议的呢；都不用怀疑了； 肯定是不行， 型号都不一样，封装也不一样，参数也不一样， 但是170 ...

兄弟是明白人！  网上还有人做出转换板，用于代替K389

laoyezxp

170除了V档的IDSS比较大，其它挡的可以用2SK184  2SK209（SOT23）相应档替换，需要孪生管用贴片的2SK2145和2SK3320，这几款跨导比170小些（15ms).

粤北山野

换灯泡一样的代替，肯定不行。用在差分输入级，耐压低，用共源共基。跨导低，用电流镜。

ue10

laoyezxp 发表于 2026-2-9 15:40
170除了V档的IDSS比较大，其它挡的可以用2SK184  2SK209（SOT23）相应档替换，需要孪生管用贴片的2SK2145和 ...

单纯的代替东芝K170的（不考虑J74组合），可用的管其实有很多。
但你说的2SK209，PD=150mW, Yfs=15ms   ,  2SK184,PD=200mW ,这二者都没有K170的400mW大。

再在从跨导来说，这二管都没有国产K170高。
与K170跨导最相近的管是：2SK364     
比K170跨导高的管是：2SK363、2SK369
比K170跨导略低的管有很多：2SK163(NEC)、2SK117、国产K170……

但上面的这些管调整电路后，理论上是可以代替K170, 但肯定不能简单地说能超越K170  ！！

laoyezxp

ue10 发表于 2026-2-9 16:00
单纯的代替东芝K170的（不考虑J74组合），可用的管其实有很多。
但你说的2SK209，PD=150mW, Yfs=15ms    ...

做差分输入级每个管静态电流也就1，2毫安，不要太在乎功耗。比如2SC2240电流100mA,用于差分输入级静态电流0.5-2mA还需要在意它的300毫瓦功耗吗。

ue10

laoyezxp 发表于 2026-2-9 16:19
做差分输入级每个管静态电流也就1，2毫安，不要太在乎功耗。比如2SC2240电流100mA,用于差分输入级静态电 ...

说这句话，就很外行了吧！！  你自己好好研究一下JFET管的特性再说吧。

laoyezxp

ue10 发表于 2026-2-9 16:22
说这句话，就很外行了吧！！  你自己好好研究一下JFET管的特性再说吧。

你内行说说看，你不会认为JFET一直工作于IDSS的电流下吧？所以拿IDSS和VDS算功耗，那是最大功耗不是工作平均功耗。

ztmy

laoyezxp 发表于 2026-2-9 16:19
做差分输入级每个管静态电流也就1，2毫安，不要太在乎功耗。比如2SC2240电流100mA,用于差分输入级静态电 ...

确实，很多厂机电路设计jfet的输入电流就是1，2毫安。

geforce

laoyezxp 发表于 2026-2-9 16:32
你内行说说看，你不会认为JFET一直工作于IDSS的电流下吧？所以拿IDSS和VDS算功耗，那是最大功耗不是工作 ...

这和那个算纯甲类功放的帖子一样可笑，有人就拿V/R的结果当静态电流用
JFE2140的输入特性应该是这样的，楼主的图明显错误，IDSS=30mA？？？世界上有这样的管？你信吗
通过这个图可以计算出IDSS和跨导，我没说比2SK170好，但上面分析方法错误很多

MT4S301

ue10 发表于 2026-2-9 16:00
单纯的代替东芝K170的（不考虑J74组合），可用的管其实有很多。
但你说的2SK209，PD=150mW, Yfs=15ms    ...

你知不知道并联2个同型号FET可以让跨导乘根号二，还能让每管功耗除以二？
前提是要基本匹配好的2颗管并联

此外：并联N颗同型号FET还能使噪声除以根号N、失调电压除以根号N
你只要拿4颗K209手工匹配个七七八八，每侧并连2颗。就能比肩或超越K170

再说如果愿意花3个BJT+1个稳压管做沃尔曼输入级让JFET漏源电压保持在10以下便可自由使用JFE2140，多简单的事
控制漏源电压小于10V还可以玩K932、K2394、K3557、BF862，这里面随便哪性能都超越K170（完全不是一个档次的）
K170即上古旧制程老货而已，K3557和BF862都较新工艺（低耐压）更高截止频率更低1/f 噪声更低反馈电容

ue10

swsw4321 发表于 2026-2-9 12:17
哇，要工作在线性区，差分级电流要20mA以上了，那不烫死

IDSS 太高，只能降低VDS电压，或者降低IDSS电流，就是说需要给VGS提供负压，降低IDSS

99990000

拿一块板来代换试一下有这么难吗？