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本帖最后由 hwckent 于 2025-11-2 14:26 编辑
重新检查,34#用的模型对不上官方数据,顾,上面的仿真数据不准确,电路得重新调整
下面模型拟合度90%以上
- .model 2SK1058 VDMOS(
- + nchan ; N沟道类型 (VDMOS 专用)
- + Vto=0.0 ; 阈值电压 (Vgs(th) ≈ 0V, 零偏压导通, 数据手册实测平均值)
- + Kp=0.85 ; 跨导参数 (A/V², 拟合 gm ≈ 0.85 S @ Vgs=10V, Id-Vgs 曲线)
- + Lambda=0.02 ; 通道长度调制 (1/V, 早期效应, 拟合 Id-Vds 曲线)
- + Rs=0.62 ; 源极寄生电阻 (Ω, 实测值, 影响热稳定性)
- + Rd=0.1 ; 漏极寄生电阻 (Ω, 实测值, 影响高频损耗)
- + Rds=1e7 ; 漏源电阻 (Ω, 高阻状态, 数据手册)
- + Cgdmax=100p ; 栅漏电容最大值 (pF, Vds=0V 时, 数据手册 Ciss 拟合)
- + Cgdmin=5p ; 栅漏电容最小值 (pF, Vds 高时, 拟合 Ciss-Vds 曲线)
- + a=0.25 ; Cgd 变化指数 (非线性, 数据手册曲线拟合)
- + Cgs=600p ; 栅源电容 (pF, 数据手册典型值)
- + Cjo=1080p ; 零偏结电容 (pF, 体-源结, 数据手册拟合)
- + m=0.7 ; 结梯度系数 (数据手册)
- + VJ=2.5 ; 结内置电位 (V, 数据手册)
- + IS=4.0E-06 ; 体二极管饱和电流 (A, 数据手册体二极管拟合)
- + N=2.4 ; 体二极管发射系数 (数据手册)
复制代码
- .model 2SJ162 VDMOS(
- + pchan ; P沟道类型 (VDMOS 专用)
- + Vto=-0.08 ; 阈值电压 (Vgs(th) ≈ -0.08V, 零偏压导通, 数据手册实测平均值)
- + Kp=0.6 ; 跨导参数 (A/V², 拟合 gm ≈ 0.6 S @ Vgs=-10V, Id-Vgs 曲线)
- + Lambda=0.1 ; 通道长度调制 (1/V, 早期效应, 拟合 Id-Vds 曲线)
- + Rs=0.55 ; 源极寄生电阻 (Ω, 实测值, 影响热稳定性)
- + Rd=0.1 ; 漏极寄生电阻 (Ω, 实测值, 影响高频损耗)
- + Rds=1e7 ; 漏源电阻 (Ω, 高阻状态, 数据手册)
- + Cgdmax=215p ; 栅漏电容最大值 (pF, Vds=0V 时, 数据手册 Ciss 拟合)
- + Cgdmin=10p ; 栅漏电容最小值 (pF, Vds 高时, 拟合 Ciss-Vds 曲线)
- + a=0.25 ; Cgd 变化指数 (非线性, 数据手册曲线拟合)
- + Cgs=900p ; 栅源电容 (pF, 数据手册典型值)
- + Cjo=1200p ; 零偏结电容 (pF, 体-源结, 数据手册拟合)
- + m=0.7 ; 结梯度系数 (数据手册)
- + VJ=2.5 ; 结内置电位 (V, 数据手册)
- + IS=4.0E-06 ; 体二极管饱和电流 (A, 数据手册体二极管拟合)
- + N=2.4 ; 体二极管发射系数 (数据手册)
复制代码
如果有实物,对比厂家手册经仪器实测曲线拟合调整后才能更精准的模拟的
所以来历不明的电路图能信吗,仿真模型数据不准确都出入九条街。。
修正:
仿真文件
2SK1058_2SJ162_修正模型 .rar
(5.25 KB, 下载次数: 6)
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