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楼主 |
发表于 2017-1-6 11:57
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本帖最后由 红山老猫 于 2017-1-6 12:02 编辑
大胖乖1兄,我也祝您2017新年快乐, 心想事成
交联电容是共通的, 重点端看后级功放的输入阻抗, 如果是低阻抗的晶体后级, 那或许麦景土 (McIntosch 的理论, 交联电容一律采用 10uf,做他们的工业标准) 或许这也是我应当讲的时候了, 许多人的错误概念, 误以为大容量的交联电容, 是会增加低音的分量的, 错! 大容量电容并不会增加低音分量, 她只是允许低频以同样的分量,频率伸延得更低! (容量越大, 低频伸展越低, 但不会令某一频段分量增加, 一般低输入阻抗的后级功放可以低到10K ~ 20K 欧姆, 早年的 Electro Companiet 功放甚至低到2K) 任何其他说会令低音更多的看法都是理学上可以证明是错误的。 如果在交联电容之后是输入阻抗高的胆机或 FET输入的后级功放 (输入阻抗 200K欧姆以上, 那2uf 交联电容完全可以接受)那10uf 交联电容的功效, 不止是确保低频有良好的伸展, 更重要的是相移问题可以降到最低。 这是许多欧美厂家都没注意到的 |
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