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[分析测量] MOSFET輸出級的最佳工作點的調整

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发表于 2013-1-1 12:11 | 显示全部楼层
看來我的中文實在退步太多了.
怎麼那麼多人完全誤解我的意思!

我必須強調:
由於零件特性的差異,
即使 ...
wensan 发表于 2013-1-1 00:24



你的中文并没有退步,而是功利教育出来的人们只要一个结果而已。

所以,根据图表数据,不喜欢看文字、不喜欢理解思路的人,都会齐刷刷地调到图表上那个值去的,请100%放心,并且这些人会占绝大多数。不信的话,咱们拭目以待吧

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发表于 2013-1-7 00:16 | 显示全部楼层
你的中文并没有退步,而是功利教育出来的人们只要一个结果而已。

所以,根据图表数据,不喜欢看文 ...
conan 发表于 2013-1-1 12:11



    总结的真好,应该加分了。

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发表于 2015-8-23 07:47 | 显示全部楼层
本帖最后由 bazys 于 2015-8-23 07:53 编辑

看看吧,这些表格和曲线,也许会很有帮助。  2004-2008年注册的老骚友都很有成就,“嫉妒”。

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值得参考

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2004-2008年注册的老坛友高手很多。

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好像不是很重要,玩场效应管,几乎都会觉得音质很好,,失真也很小。

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发表于 2019-5-22 10:00 | 显示全部楼层
这个跟场管的GS和ID电流电压特性曲线的相关吧,

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发表于 2019-5-22 14:28 | 显示全部楼层
这是个有营养的帖子!

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发表于 2019-5-24 00:21 | 显示全部楼层
如果工作在闭环中 mosfet的失真可以让负反馈来解决 如果开环 这个问题就要仔细对待了

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发表于 2019-5-24 00:58 | 显示全部楼层
那种说IRFP240 9240需要1安培级电流才进入线性工作区的人,其实是不了解坐标系单位长度的选取对于函数图像的影响导致的。官方的DATESHEET只画出了最低漏极电流为1A左右的Vgs曲线,纵坐标是以1安培为一个单位长度,这给我们一个感觉这个管子只有漏极电流在1A以上才线性才好的假象。其实场效应管都遵循从开启电压起按Vgs的平方的函数关系变化的,把纵坐标的单位长度取得较小些比如是毫安,曲线的样子其实和取值为1安的样子差不多。为什么官方把纵坐标单位长度取值为1A呢,因为通常情况下其运用只需要关注1A以上Vgs曲线。
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