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楼主 |
发表于 2011-12-14 10:13
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本贴纯技术讨论,不涉及主观因素!
继续。
规格书上的
There are two limitations on the power–handling ability of a transistor: average junction temperature and second breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of the transistor that must be observed for reliable operation,i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipation than the curves indicate.The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 200℃; TC is variable depending on conditions. At high case temperatures, thermal limitations will reduce the power that can be handled to values less than the limitations imposed by second breakdown.
晶体管的功率处理能力有两个限制:平均结温和二次击穿。安全工作区曲线指明了晶体管可靠运行必须遵守的Ic - Vce的限制,晶体管必须不承受到比该曲线所示更高的功耗,图2曲线的数据基于TJ(PK)= 200℃,TC依条件可变。在高的壳温下,热限制将降低可以操作的功率值,小于二次击穿所承受的。
计算:
SOA第一区:引线功率限制区——Vce:0~6V,主要是受引线载流量的限制,SOA积分面积为300瓦。
SOA第二区:热功耗功率限制区——Vce:6~32V,主要是限制工作时的管耗,SOA积分面积为780瓦。
SOA第三区:二次击穿限制区1——Vce:32~80V,主要的限制是二次击穿限制区工作时的管耗,SOA积分面积为264瓦。
SOA第四区:二次击穿限制区2——Vce:120~80V,主要的限制是二次击穿限制区工作时的管耗,SOA积分面积为22瓦。 |
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