[音源] 浅谈SIT晶体管(就是VFET)

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发表于 2008-11-24 11:18 | 显示全部楼层
源漏电流受栅极上的外加垂直电场控制的垂直沟道场效应晶体管,简称SIT。静电感应晶体管是一种新型器件,可用于高保真度的音响设备、电源、电机控制、通信机、电视差转机以及雷达、导航和各种电子仪器中。
    1952年日本的渡边、西泽等人提出模拟晶体管的模型,1971年9月日本西泽润一发表SIT的研究结果。在70年代中期,它作为音频功率放大器件在日本国内得到了迅速的发展,先后制出最高截止频率10兆赫、输出功率1千瓦和30兆赫、输出功率达2千瓦的静电感应晶体管。1974年之后,高频和微波功率静电感应晶体管有较大发展。已出现1吉赫下输出功率100瓦的内匹配合成器件和2吉赫下输出 10瓦左右的器件。静电感应型硅可控整流器已做到导通电流30安(压降为0.9伏),开关时间为110纳秒。另外,已研制出 MOS型SIT和SIT低功耗、高速集成电路,其逻辑门的功率-延迟积的理论值可达1×10□□焦以下。
    SIT具有非饱和型电流电压输出特性,它和三极电子管的输出特性相类似(图1静电感应晶体管电流-电压特性)。
    SIT是一种电压控制器件。在零栅压或很小的负栅压时,沟道区已全部耗尽,呈夹断状态,靠近源极一侧的沟道中出现呈马鞍形分布的势垒,由源极流向漏极的电流完全受此势垒的控制。在漏极上加一定的电压后,势垒下降,源漏电流□□开始流动。漏压越高,□□□越大,亦即 SIT的源漏极之间是靠漏电压的静电感应保持其电连接的,因此称为静电感应晶体管。SIT和一般场效应晶体管(FET)在结构上的主要区别是:①SIT沟道区掺杂浓度低,为10□~10□厘米□,FET则为10□~10□厘米□;②SIT具有短沟道,在输出特性上,前者为非饱和型三极管特性,后者为饱和型五极管特性。
    SIT主要有三种结构形式:埋栅结构、表面电极结构和介质覆盖栅结构。埋栅结构是典型结构(图2 埋栅结构),适用于低频大功率器件;表面电极结构适用于高频和微波功率SIT;介质覆盖栅结构是中国研制成功的,这种结构既适用于低频大功率器件,也适用于高频和微波功率器件,其特点是工艺难度小、成品率高、成本低、适于大量生产。中国已研制出具有这种结构的 SIT器件有:400兆赫,1~40瓦;1000兆赫,1~12瓦及1500兆赫,6瓦的SIT器件。另外,还制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪声系数小于3分贝的功率低噪声SIT。
    和双极型晶体管相比,SIT具有以下的优点:①线性好、噪声小。用SIT制成的功率放大器,在音质、音色等方面均优于双极型晶体管。②输入阻抗高、输出阻抗低,可直接构成OTL电路。③SIT是一种无基区晶体管,没有基区少数载流子存储效应,开关速度快。④它是一种多子器件,在大电流下具有负温度系数,器件本身有温度自平衡作用,抗烧毁能力强。⑤无二次击穿效应,可靠性高。⑥低温性能好,在-196□下工作正常。⑦抗辐照能力比双极晶体管高50倍以上。

上面的话是抄来的

下面是TKS45F323 SIT管的曲线.

TKS45F323曲线.gif

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发表于 2008-11-24 15:06 | 显示全部楼层
顶一下
这种管子目前市面上有没有那个型号比较通用呢?

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发表于 2008-11-24 15:26 | 显示全部楼层
好东西啊,曲线确实像电子三极管,但范例图中的管子好像电流输出能力小点,到1900mA,已经到了拐点,不知有没有频率低点50~100M,电流输出能力大点的。

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发表于 2008-11-24 15:29 | 显示全部楼层
找到一篇介绍比较详细的文章。
http://baike.eccn.com/eewiki/ind ... 6%E4%BD%93%E7%AE%A1(SIT)

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发表于 2008-11-24 16:43 | 显示全部楼层
据说,intel也研制出新型的mos管,用于最近将来的高性能cpu芯片,不知道是不是这种。

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 楼主| 发表于 2008-11-25 10:02 | 显示全部楼层
SIT 另外一个称呼是VFET。下表是VFET的一些型号,不过大多数都停产多年了。

2SJ20 /2SK70 (NEC)
       2SK75 (YAMAHA)
2SJ26 /2SK76 (YAMAHA)
2SJ26A/2SK76A(YAMAHA)
       2SK77 (YAMAHA)
2SJ24 /2SK78 (YAMAHA)
       2SK79 (SONY)
2SJ28 /2SK82 (SONY)
2SJ29 /2SK89 (HITACHI)
2SJ38 /2SK98 (YAMAHA)
2SK180(TOKIN)
2SK181(TOKIN)
2SK182(TOKIN)
2SK182E(TOKIN)

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 楼主| 发表于 2008-11-25 10:05 | 显示全部楼层
应用电路之一:
这个CSPP电路好像仿制的人不少,据说本坛某版主非常感兴趣,俺就等他吃螃蟹了
2SJ18_CSPP_amp.gif

2SJ18_CSPP_ps.gif

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 楼主| 发表于 2008-11-25 10:09 | 显示全部楼层
俺感兴趣的是这个电路,4,5年前一个同事做过这个电路,不过他没有VFET,用是是K1529,声音非常令人难忘。

2SK180_1.gif

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 楼主| 发表于 2008-11-25 10:10 | 显示全部楼层
再看一个用对管的电路:

Exp0.gif

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 楼主| 发表于 2008-11-25 10:20 | 显示全部楼层
俺搜集到一些VFET

没想到K181这么大个看来取代300B不是没有可能
DSC_5421.jpg

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 楼主| 发表于 2008-11-28 08:38 | 显示全部楼层
呵呵,这么好的管子没人感兴趣?

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发表于 2008-11-28 08:47 | 显示全部楼层
there really is no future for sit. tokin for example has stop'd producing them, and other than a few small foundries producing sit for military applications, there really is no place for those devices because they seem to have the worst of both tubes and transistors: like transistors, they are easily damaged; like tubes, they have low gain due to internal feedback; ...

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看电路结构手法很像日本的


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 楼主| 发表于 2008-11-28 09:19 | 显示全部楼层
TOKIN 现在还继续生产呢,只是买不到而已,可能是军工产品,居然有1000W的管子

再上2SK60的曲线:
2sk60.gif

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以前许多杂志就介绍过........百度一下 VMOS就知道了

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以前《实用电子文摘》上有文章介绍过的,我也很感兴趣,难道声音真有电子管的感觉?

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这贴要顶能学到东西!!

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实用电子文摘翻译日本无线电与实验的文章很多都是用这类管子,这东西怕静电,

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今天还看到 TOKIN 2SK181了,走得匆忙也没问价格。各位推荐简单一点的电路吧。

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 楼主| 发表于 2008-11-30 18:27 | 显示全部楼层
就用8贴的图就可以,一个K181可以代替两个K70。

K181的功率300W,最大电流20A,就是输入电容大点,2500P。估计单管40W-50W功率没问题 ,关键是散热器要大。
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