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楼主 |
发表于 2024-4-1 20:38
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本帖最后由 kwok_sir 于 2024-4-1 20:48 编辑
不建义IGBT, 速度很慢的, 而且多为N管。
P-MOS 80V以上, Id >=5A, Rdson <0.5 Ohm为好.
Vds Id Rdson ohm
RFP8P10 100V 8A 0.4 TO-220
FSF9640 200V 6.2A 0.5 TO-220
FQPF12P10 100V 8.2A 0.29 TO-220
IRF9533 80V 10A 0.4 TO-220
G900P15T 150V 60A 0.08 TO-220
SFP9540 100V 17A 0.2 TO-220
FP17P10 100V 16.5A 0.19 TO-220
IRF9532 100V 10A 0.4 TO-220
2. Vout=48V, R7 36.6K, 其它不变.
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