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我对放大器输出大管外接之栅极电阻或基极电阻这个问题有兴趣。
在网上寻找过一段时间,始终觉得没有恰当的说法。
以下是我自己的最新见解,在此向大家分享一下。
电阻,一般而言就是在指定电压下,限制或控制电流的元件。
那么,栅极电阻及基极电阻很可能也是同样用途,就是用来限制流入(及流出)栅极及基极的电流。
而所考虑的电流,应该就是前一级与输出级间的导线/电阻的瞬间电压产生的瞬间电流。
这个瞬间电压,显然最大不高于电源供应所提供之电压。
Imax = ((+Vcc) - (-Vcc))/R
实际上可以按电路设计的真实情况,算得一个较小的瞬间电流数值。
如果没有这个电阻,瞬间电流就可能太大而有机会烧毁大管及整个放大器。
而对于 BJT 而言,最大可接受的基极电流一般可从 datasheet 中直接知道。
但对于 MOSFET 而言,最大可接受的栅极电流似乎一般 datasheet 都没有提到。
不过,输出电压上升或下降所要用的(最短)时间,即 Tr 、 Tf ,一般都有。
而这个时间,亦是指 Vgs 上升或下降能有稳定输出的最短时间。
而栅极最大可接受的电压 Vgs_max 一般有。
开启 MOSFET 的最低栅极电压 Vgs_th 亦应该有。
那么最大的 Vgs 变化(保持开启),就是 Vgs_max – Vgs_th 。
所以可以说,栅极的最大可接受电压摆率,其实是可以算出来的。
min((Vgs_max – Vgs_th)/Tr, (Vgs_max – Vgs_th)/Tf)
=(Vgs_max – Vgs_th)/max(Tr, tf)
然后呢, MOSFET 的输入电容值 Ciss 也是应该有的。
那么就可以算出栅极可接受的最大电流。
I = Ciss dV/dT
此处 dV/dT 就是电压摆率。
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