关于 Mu-stage 的一些问题

kenny · 发表于 2012-4-13 20:20

搜罗一下在小屏流下输入动态大线性又可观的五极管，搜罗了一下在小电流下输入动态大线性好屏压又低内阻又高的三极管，结果都比较失望。于是把目光投向一种另类的五极管和它的三极管接法。于是有了...答案。

EBF89 Triode.JPG

doctorqianbing · 发表于 2012-4-14 22:51

本帖最后由 doctorqianbing 于 2012-4-14 22:55 编辑

K兄为何不试试原文中提及的用MOSFET作上管呢？比用五极管更简单、方便，PSRR更好，输出阻抗更低。

万健 · 发表于 2012-4-14 22:53

他恐石呵呵

kenny · 发表于 2012-4-14 22:57

理论上石头更好，但实际上...就像理论上如果电子管推挽机如果峰值电流是500mA，用个1A电流的石头整流肯定会比用两个GZ34或者5U4G并联好，但实际上，估计你要用...自己试试就知道了。

kenny · 发表于 2012-4-15 23:56

关于使用MOSFET的问题，这里有个麻烦，各位达人，请来看看。我看了一下MOSFET的PDF，包括小信号的。MOSFET做上管理论上很好，不过静态电流都有过大的问题，因为是上管需要进行线性放大，所以偏置到合适的工作点是必须的。比如偏置到-5V的话，就算是小功率的MOS，也会有几十毫安到几百毫安的电流。而下面的电子管三极管一般屏流不超过10mA，这样有大量的电流需要通过一个电阻泄放到地，当然这个泄放实际上也构成MOSFET的交流负载，故这个电阻也不能小。所以最终的电源效率会相当低。低到令人惊讶。

doctorqianbing · 发表于 2012-4-16 00:21

原文中推荐下管用大电流的双三极管并联。
不过个人觉得不用那个泄放电阻也是可以的，对于这种上管（MOSFET）固定偏置接法，工作点会自适应。只是这样可能使MOSFET电流很小，失真加大些，至于大多少不好说，因其毕竟是跟随器。

kenny · 发表于 2012-4-16 07:13

比如某高线性高压小信号MOS。功率MOS就不说了，电流太大。
如图所示的工作点可以提供4V PP的摆幅。这样取也可以尽量降低峰值电流，不然变压器容量还得上去。

小功率场管.jpg

kenny · 发表于 2012-4-16 07:17

本帖最后由 kenny 于 2012-4-16 08:05 编辑

此时固定偏置电阻=4V/~0.24A=16.6欧姆。负载兼泄放电阻=50/0.8=62.5欧姆。这怎么用呢？不解。不知道有没有饱和线性区在数十毫安范围内的高线性高耐压小信号MOSFET。能否推荐一二？

kenny · 发表于 2012-4-18 09:31

本帖最后由 kenny 于 2012-4-18 11:45 编辑

最近看来一点其他的资料，发现阴随器的输入摆幅并不局限于设置的栅负，但输出的非线性失真度和按屏出特性设置的负载线的线性度仍然有关。

这里就有个问题：如何根据输入摆幅需要选择阴随器的工作点，如何取负载以求得最低失真？

doctorqianbing · 发表于 2012-7-25 12:53

K兄的这个电路研究的怎么样了？

kenny · 发表于 2012-7-25 13:32

请翻阅相关帖子。总之可以在大摆幅下开环保持较低失真。

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