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本帖最后由 farley2k 于 2023-1-6 17:24 编辑
你这两种组合看上去好像就是耐压不同,但容量相同,这样的话区别不算很大,如果是对于MLCC陶瓷电容来说的话,高耐压型号和低耐压型号的偏压效应导致的容量减少几乎没有太大区别,我看村田文档上是这么表示的。
但如果改变电容的类型和体积的话,区别就会比较明显,对于MLCC陶瓷电容来说,1206的封装偏压效应导致的容量下降比0603好出很多,温飘也是一样。类型来说的话C0G/NPO的几乎没有容量下降与温漂的问题,X7R虽然有减少但总体还是优于X5R的。但要注意的是陶瓷电容的封装尺寸会改变退耦谐振点的频率,也就是说同样是104的电容,1206的104最高效率退耦频率在16MHz左右,而0603的104最高效率退耦频率在22MHz左右,对于DAC经常使用的24MHz晶振来说0603封装的104退耦效率更高。
然后扩展开来说的话,除了陶瓷电容以外,不同类型介质的电容,寄生参数的大小不同,三部分纹波所占的比例也有所不同。因此,使用不同类型的输出电容会得到不同波形的电压纹波。如图3所示,电解电容的ESR较大,纹波由ESR主导,波形与电感电流纹波形状类似。陶瓷电容的ESR和ESL都很小,主要由电容的充放电主导,纹波类似电容的充放电曲线。OSCON电容三者的影响都体现在纹波中。所以就是同样是10U容量但不同类型介质的电容,退耦后的区别也比较明显。
关于并联后的电容阻抗曲线,如果在大小中间加入一个过渡容量的电容那么总体来说,滤波曲线会相对更平滑一点。也能在加入中间过渡容量后,再加一个更大的或更小的容量,3/4并的玩法比单纯大并小这种2并的玩法效果更好。
最后强烈推荐楼主说的那个三端电容,性能非常牛,根据丸和的文章显示,一个大容量三端大约等于10个小容量两端陶瓷并联后的滤波效果。不过要注意的是其谐振频率特别的高,要想替换普通两端陶瓷电容的话,想要达到同样的谐振频率容量大约要增加10倍,举例来说2端104换成三端的话的需要105容量的三端,最高效率退耦频率才在23MHz左右,也就是和两端的104退耦频率差不多。
补充内容 (2023-1-6 18:10):
关于并联后的电容阻抗曲线,并不是滤波曲线更平滑,而是退耦频段扩展了,在更广频段内都有一定的退耦效果。例如晶振除了基频外其倍频谐振干扰也能退耦掉,还有就是三端电容的焊盘与两端电容并不兼容。不能直接替换。
补充内容 (2023-1-6 18:55):
你前面说的在Cd机在数字电源主滤波上并联两个elna棕魔100uf/35v,这属于滤波电容,滤波这个部分主要解决全桥整流后的100HZ脉动直流电的平滑问题;我说的那个是靠近芯片的退耦电容,退耦解决的是芯片的高频互扰问题。
补充内容 (2023-1-7 01:38):
对于电解电容来说,同等容量不同耐压的性能确实不同,这点和陶瓷是不一样的,以棕2为例,6.3V的损耗因数0.20,而50V的是0.08;还有额定纹波电流的频率系数也大不相同,6.3~16V在1k时只有1.1,25~35V在1k时却有1.5。 |
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