请问维大,这3个喇叭的分频点设置:loveliness:
哈哈.我谁也不山寨了.开始改用这样的模形,到时可以面板外拼上去.继续优化中.
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维卡亚 发表于 2010-11-1 22:27 http://bbs.hifidiy.net/images/common/back.gif
我觉得这个外形不错啊，可以就用这个。
分频打算作到3.2K-2.5K 280-400这个范围内
除非不得以的情况.否则不会选择在高音周围帖吸音类材料.优化作到了完全可以达到很好的效果.
上SCAN-SPEAK网看了4867的参数,还真不错.
QTS=0.3 FS=18 VAS=223L,以前有个说法,QTS=0.3的只能做倒相箱,其实不然,按维大选择的这个单元,70L左右的闭箱,QTC=0.6 ,喇叭装箱后的谐振频率为36Hz,很合适啊:lol
嗯.这款单元实测数据和官网上公布的还是有些区别,可以留意一下官网的阻抗曲线.不过同样是可作导相可作闭箱.
我从linearx官网下的单元LTD文件怎么LEAP不认啊
http://www.linearx.com/downloads/DownloadLtdTop.htm
绝对值我给不出.不同的分频结构差别和衰减方式的差异会使得最终的实际值间可以产生很大的偏差.我只能告诉你方式.你的情况是相对好处理的.
中高音的分频上采用串电阻的衰减网络.串电阻不仅是灵敏度会下降.阻抗也会上 ...
维卡亚 发表于 2010-11-1 20:48 http://bbs.hifidiy.net/images/common/back.gif
谢谢！这个差别巨大是指的什么？那在分频前加电阻好还是分频后好啊？
我的也认不了.不知道原因.
回ASSD.差别巨大就是指整个通道差别.频响,阻抗都明显不同.而之前加还是之后加.这个是没法定论的.不过,你的箱子至少要在电容之前加一个.不然阻抗容易有过低点.尝试测试并用LSPCAD模拟一下就会很清楚了.
哦！谢谢维卡亚 兄！那中音的话是不是也要在电感前加个电阻？》
哈哈.我谁也不山寨了.开始改用这样的模形,到时可以面板外拼上去.继续优化中.
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维卡亚 发表于 2010-11-1 22:27 http://bbs.hifidiy.net/images/common/back.gif
这个箱体外形不错啊，挺好的。
分频打算作到3.2K-2.5K 280-400这个范围内
维卡亚 发表于 2010-11-2 09:19 http://bbs.hifidiy.net/images/common/back.gif
低音的分频点在可能的情况下能够尽量取高点吗？比如350-400Hz？这样尽量避免4寸中音单元的动态不够的缺点。
高音的分频道能够也高点吗？比如2.8k-3.2K? 这样尽量避免唱K时高音被烧掉的风险，哈哈。
哦！谢谢维卡亚 兄！那中音的话是不是也要在电感前加个电阻？》
assd 发表于 2010-11-2 13:35 http://bbs.hifidiy.net/images/common/back.gif
依我看，要不要在电感前加个电阻，由喇叭是否需要决定的。
什么叫喇叭需要？
试了一下导入OBJ，还算成功。
不同高音位置差别真的不小
学习，看来切角很重要
上面的图其实是中音，这回事真的高音！
学了也白学，看不懂了，顶一下还是没问题的。
老大可否解释下红绿蓝三根线各代表的是什么？:loveliness: