2楼图中的电容一般不会那样接，而是应该把R2改成二只电阻串联，然后把电容的下端接到二只串联电阻的连接点。
仅仅恒流源就改那么多，好像性价比不高
两个耗尽型MOS应该是性能最好的方式 缺点是恒流值要靠可调电阻调节
哪一种最好呢？
本帖最后由 卖油翁 于 2026-4-24 22:09 编辑
本楼测量有误，以65楼为准。
第六款是TL431与K170组合恒流源。
曲线显示1K之PSRR＝-143，20K之PSRR＝-125，100K之PSRR=-111
温漂从2.04306降至2.04294mA，换算为0.24 ppm/℃
表现十分优秀
卖油翁 发表于 2026-4-23 08:52
第六款是TL431与K170组合恒流源。
曲线显示1K之PSRR＝-143，20K之PSRR＝-125，100K之PSRR=-111
温漂从2.0 ...
还有一款，我发你仿真，油翁从前级和后级，到电源，到恒流源，这些都是硬货。赞
本帖最后由 siwen907 于 2026-4-23 09:12 编辑
就是2个发光管和三极管组成的，落地电阻可以改成恒流管
本帖最后由 卖油翁 于 2026-4-23 11:27 编辑
第七款是siwen907提供的LED控BIT双倍串联恒流源，多谢。
PSRR：1K时-76，20K时-72，100K时-58。不平坦。
温漂很高：从1.56毫安上升到2.2毫安，与第一二款差不多。
lin889889 发表于 2026-4-22 22:22
一直都不喜欢复杂的恒流源，喜欢用耗尽型元件做恒流源。可以是JFET，也可以是耗尽型MOSFET，或者二者结合都 ...
这电路架构把J-FET换成D-MOS管，比如BSS229可能会更好一些，因为耐压高，应用范围也更广。
加恒流低频处PSRR好点，温漂不变。1K＝-93
牛哥 发表于 2026-4-23 11:20
这电路架构把J-FET换成D-MOS管，比如BSS229可能会更好一些，因为耐压高，应用范围也更广。
用耗尽型MOSFET确实有很多优点，但也有二个要注意的问题：一是MOSFET更容易发生振荡，所以栅极一定要串足够大小的电阻；二是MOSFET低频噪声大，所以在对噪声有要求的地方可以考虑下管用JFET，上管用耗尽型MOSFET。另外当用于高压电路时，上管的功耗也往往比较大，用BSS229可能还嫌不够。我一般用CPC5602，加散热实际用到了0.7~1W也很稳定。
A970和2240已经很好了。如果确实对电流有要球，直接达林顿管吧。
本帖最后由 卖油翁 于 2026-4-23 14:46 编辑
第八款，单JFET恒流源。
改10V测K170。
＠1K＝-52分贝，＠20K＝-49分贝，＠100K＝-40分贝
温漂从2.062上升至2.064，换算为4ppm/°C。
测J202
PSRR-34分贝平直至40K甚至1M
温漂有点惊人：从2.0305仅上升至2.0305014，换算为0.003ppm/°C。
是否系统刚好选了一个零温度系数附近的管子做模型，还是哪里出错了，请教各位！
第九款：由2N5486与J202组合的双JFET恒流源
1K＝-74，20K＝-73，100K＝-65
温漂＝0.003ppm/°C
卖油翁 发表于 2026-4-23 14:22
第八款，单JFET恒流源。
改10V测K170。
＠1K＝-52分贝，＠20K＝-49分贝，＠100K＝-40分贝
是否系统刚好选了一个零温度系数附近的管子做模型，还是哪里出错了，请教各位！
应该是JFET模型简化了，缺少相关参数。
小结：冠军属于第七款TL431与K170组合恒流源，亚军属于第九款2N5486与J202双JFET恒流源
换用5486与170的组合
1K＝-90，20K＝-83，100K＝-70
温漂＝３ppm/°C
lin889889 发表于 2026-4-22 22:22
一直都不喜欢复杂的恒流源，喜欢用耗尽型元件做恒流源。可以是JFET，也可以是耗尽型MOSFET，或者二者结合都 ...
仿真了一下，这个电路恒流效果很好，但压差要到10.5V以上才好，到20k仍然有80多dB的抑制比。低于10V则降到53dB.
卖油翁 发表于 2026-4-23 11:06
第七款是siwen907提供的LED控BIT双倍串联恒流源，多谢。
PSRR：1K时-76，20K时-72，100K时-58。不平坦。
...
把Q4去掉，R7改成J-fet会怎么样？
2SN5486换用BSS229，低频区抑制能力强一些。
1K=-106，20K、100K不变
温漂增大，368ppm/°C