想利用锗管做一个低压差电源，拼凑两个电路，大家帮看一下。

人生真空管 · 发表于 2014-3-24 20:38

本帖最后由人生真空管于 2014-3-24 20:42 编辑

看电路有没有问题，哪个压差能小点，性能高些？手里有一些锗管，想利用他的低压降，降低自身的功耗，增加效率！图随手画的，别笑话啊！

人生真空管 · 发表于 2014-3-24 21:10

人呢？

泽之航 · 发表于 2014-3-25 08:05

双管复合压差也低不到哪里去，而且偏置恒流源部分也会造成压降。建议重新开拓思路，如用集电极输出电路压差会更小。

zhainm · 发表于 2014-3-25 08:19

！！！！！！

人生真空管 · 发表于 2014-3-26 17:10

zhainm 发表于 2014-3-25 08:19
！！！！！！

以上的电路电流小，又不适合可调，要使用复合管，可能压降就没有多大优势了。感谢支持。

mkav · 发表于 2014-3-26 17:46

网上搜的，期待楼主验证

locky_z · 发表于 2014-3-27 08:42

第1个电路的基准点压包含了输出管的Vbe在内，不好
第2个电路PNP和NPN复合，压降不会少。

用辅助电源的话，N管压降也不过1V，
不用辅助电源，但用集电极/漏极输出，压降完全可以和锗管一拼

还是淘汰锗管吧

人生真空管 · 发表于 2014-3-27 17:55

集电极输出都说好，但是电路不是很好找（稳定的）。

人生真空管 · 发表于 2014-3-31 17:11

试验了上面两款集电极输出的稳压电路，稳定性不好，尤其受温度影响较大，飘逸挺厉害，放弃了。还是发射极输出的稳定，鱼和熊掌不能兼得，也许就是这种传统电路普及的原因吧。

人生真空管 · 发表于 2014-6-28 12:15

locky_z 发表于 2014-3-27 08:42
第1个电路的基准点压包含了输出管的Vbe在内，不好
第2个电路PNP和NPN复合，压降不会少。

你说的压降都是在饱和时的压降，放大时的管压降是不同的。。。锗管0.3-0.5V硅管0.5-1V。复合管的话锗管就是0.6-1V，硅管就是1.V-2V .再加上偏置电压，所以硅管的线性电源最小压差都在2.5V以上。在留些电压波动余量，压差都在5-6V以上。而锗管同样的电路，压差就低一半。

wjsong · 发表于 2014-6-28 12:20

采用辅助电源，UHC-MOS管漏极输出性能最好

扬帆远航 · 发表于 2014-6-28 18:17

都不是低压差,而且锗管热了以后,穿透陡升

狂躁的刺猬 · 发表于 2014-6-28 23:21

锗管的热稳之差，耐温之低，完全抵消低压差的优势。
还有个问题，低压差当然功耗会减小，但是对外部电源波动适应性也是降低的，除非当地市电非常稳定，或者前面有交流稳压器。

人生真空管 · 发表于 2014-6-29 05:49

狂躁的刺猬发表于 2014-6-28 23:21
锗管的热稳之差，耐温之低，完全抵消低压差的优势。
还有个问题，低压差当然功耗会减小，但是对外部电源波 ...

这个非常有道理。

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