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kenny 发表于 2014-1-10 12:55
Gau版能否指导一下,这种架构的改成全电子管的MM唱放如何?6CG7=6SN7,大路管,内阻中低,可以兼顾失真、味 ...
个人认为 6CG7 应用在 A2类 会更佳。只是一般的设计者颇忌讳此类设计 - 用得少吧?
以 gm = 2.6mA/V,Ra = 20KΩ,撑尽才只有约 48倍(33.6dB),基本上并不适合作高端唱放(因远少于 60dB)。除外,串叠的 Ra(20KΩ)及其阴随 Rk(20KΩ)会做成颇大的噪音 - 第二级及其阴随也一样有此毛病。
用 JFET 作输入已不太好 - 再加上那支 17.6KΩ(上管的电流提升)便只会使增益再降低,不妙!
优化 PSRR 的方法很多,如将 串叠的 Ra 改用恒流源 - 一如 μ-随 的上管般。为免出现相移,工作电流(三管串、堆叠)须作一定的提高 . . . 这可能会有点难度!
但未试过又怎知难或易呢?
若全用 12AX7,第一级的增益可超过惊人的 2000倍(足矣!)。在串叠级(中管)栅极引入反馈(超线性)便可进一步优化 PSRR,及降低失真。
致于第二级则改用 阴随 加 恒流盛(Sink). . . . . . . RIAA 后直交便可(取消 0.1μF 及 1MΩ )。
RIAA 网络应重新计算。
今晨阅读时,看到有相似的问题 - 顺道贴出来让大家参考一下。
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