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楼主 |
发表于 2013-2-18 14:03
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回复 9# 路遥plus
谢谢路遥版的建议。
其实电源的频宽应该超过用电线路。比如前级要高频100KHz,那么电源也就应该有同样的交流响应能力。
我曾经想用场管和一级差分,但出于如下考虑,选择尝试目前的线路:
一级差分和场管存在一些不足:
1. 如果用X7一类的高内阻管,开环倍数足够大,有足够的反馈空间,但输入Miller电容大,输出阻抗大。首先无法满足大频宽纹波抑制的要求,因为高频纹波捡拾不进来,其次无法驱动场管,因输出阻抗大。功率MOSFET输入电容几百至上千pF。以常用的IRF840为例,输入电容高达1600pF,尚未考虑Miller效应的影响。以X7为例,输出阻抗如果采用100K屏载,直接耦合,且加上阴极旁路电容或者用低交流阻抗的稳压管提供偏置,输出阻抗也在50K以上。MOSFET无法响应被放大的高频纹波。
2. 用6DJ8一类的低内阻管,输入电容较小,但也不是很小;但开环增益急剧下降,差分后仅有10余倍。优势是输出阻抗很低,在2-3K。也许能够直驱功率MOSFET。
3. 功率MOSFET的优势在于高夸导。以常用的IRF840为例,Gm=4西门子。根据Gau版给出的1/(A*Gm)公式,确实用小放大倍数A也能取得极好的低内阻,但问题是如果高频纹波没有进入放大范围,那这个低内阻只是对一定频率范围内的纹波而言的,对于一定频率范围外的纹波,内阻仍然是很高的。
这样看来,如果用一级差分加场管,存在上述问题需要解决。
串叠差分的优势在于使用噪声较低的小Cag低Mu三极管也能实现高开环放大倍数,且输入电容极小,能够广泛地捡拾高频纹波。同时工作在微动态下,无需考虑大动态工作时非线性失真不佳的问题。
如果与MOSFET结合,应有非常低的内阻。但考虑到串叠的输出阻抗,需加一级缓冲级才能有效地驱动MOSFET输入电容。考虑过一级射随器跟随再驱动MOSFET,但工作点不好找,仿真未成功。还请路遥版出点点子。
用电子管直藕可以充分发挥串叠带来的高频纹波抑制优势,因电子管输入电容很小,但电子管的夸导确实比MOSFET低了上千倍。这是个缺憾。
完全采用晶体管其实也可以,不过电子管也有电子管的优势。 |
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