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楼主 |
发表于 2012-7-19 00:03
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隔离层是否影响耦合度不知是否有理论支持?我的理解电感耦合是通过磁场耦合,并不是像电容一样通过极板(面积)耦合,电感耦合是初次级线圈离铁心越近中耦合度越好,所以如果铁心舌片长宽比例越大耦合度越好,就像C形变压器;当时增加隔离层的想法是为了减少级间电容,现在既然问题来了,我应该反思我当时设计或想法是否有问题:
1。如果没有隔离层,那么初次级间电容可能大一倍,因为初次级都是密绕,两者间电容就等于现在的初、次级对隔离层电容。加隔离层减少了级间电容,但大大的增加了初级对地电容,看来是得不偿失。
2。当时是因为为了减少次级铜阻,才考虑双线并绕,4组并联,由于都是密绕,耦合面积是单线的4倍,这个是造成级间电容超大的祸首。
所以下一步要做的是,抛弃双线并绕和多段并联的做法,次级直接用大线径稀绕分段串联绕制,这样耦合面积就可以大大减少,级间电容也会大大降低。既然耦合面积减小了,隔离层也自然不需要了。
另外既然提到耦合度问题,可以讨论一下先绕初级还是先绕次级,本人倾向与先绕次级,如果采用5+4结构,先绕初级,假如是0。31的线,每段4层,那么绕完第一段初级,第一段次级离铁心表面至少是1。6mm;反过来如果先绕次级,线用0。77mm的线,那么绕第一段次级,第一段第一层初级离铁心表面<0.9mm。但是有一个问题,我不太愿意最外层是次级,那么这种结构怎么做,4+4?5+5? |
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