[DIY制作] MOSFET输出级的高频振荡分析

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本帖最后由 马工 于 2011-7-19 20:01 编辑

MOSFET输出级的高频振荡分析

      大家在电路调试的时候经常会遇到输出高频振荡的情况,振荡有多个因素造成的,在此,仅讨论输出功率管的振荡,放大器环路产生的振荡不在此列。
    一个有用的理论分析,不但能对发生的现象进行合理的解释,还应该做出一些预言,也就是能对我们的设计和调试提供有价值的指导。
    本文从基本器件特性和电路的拓补结构讲起,对于很多爱好者,看到这样的公式化的和电路模型,可能早就没有兴致。不妨直接跨过去,看看后面的现象解释和设计指引作为焊机参考。


    1.        器件特性
    本话题讨论的是振荡的成因和对策,因此,在此也仅器件的动态特性。
    动态特性主要指各个电容 Ciss、Coss、Crss以及其他引入参数引起的开关时间、频率响应、反向恢复时间、开关功耗等。这里主要考虑这几个电容对稳定性的影响。
分布参数.JPG
    输入电容Ciss、输出电容Coss及反向传输电容Crss存在如下关系:
   Ciss=Cgs+Cgd
    Coss=Cds+Cgd
    Crss=Cgd
    其中,
   Cgs:栅极/源极之间的电容
   Cds:漏极/源极之间的电容
   Cgd:栅极/漏极之间的电容
    下图是一个东芝2SK1530的电容特性曲线:
C-VDS.JPG
    2.        电路形式
电路形式.JPG
    3.        简化模型
简化模型.JPG
    4.        振荡分析
振荡分析.JPG

    如果我们简化一下,用Rg代表所有栅极电阻阻值(RL较小,公式左边忽略),用Coss代表最小CL极限,则可以获得Rg的最小要求就是:
公式.JPG
    这就是电路稳定的最基本关系式。
    注意,输出负载电容选取了Coss这个电路上极限最小值,实际上需要留有更多余量。
    实际计算会相当复杂,因为就像负载电阻这个公式中简单的符号,在实际上都很难确定,它包括茹贝尔网络、传输线、分频器等等很多因素,因此我们那这个公式不是计算到底Rg要取多少值,而是找到我们调试电路的方向。
    比如,要使电路稳定,我们可以朝着增大Rg、减少RL、选取小Coss的器件、增大Ciss、减小传输线负载电容等方向去努力。

    5.        现象解释
    尝试对大家遇到的问题,在理论上进行分析解释。

    5.1 静态电流小时不振荡,将静态电流调大就振荡了;
    从器件的传输特性上可以看出,在小电流的时候Ids变化率小,也就是跨导gm小;当Ids大的阶段,gm大。根据公式,可以看出,在大电流的情况下,增大振荡风险。
    下图是2SK1530的传输特性:
51.JPG

    5.2 静态情况下不振荡,输出功率大时发现有寄生振荡;
    原因1:原理同上面一种情形;
    原因2:大功率时,某一个管子的Vds变小,此时Coss会变大;虽然另外一边的管子由于Vds变大而 Coss变小。但Coss变大的幅度更大些,造成整个负载电容变大,增大振荡风险。
    请参考上面提到的东芝2SK1530的电容特性曲线图。

    5.3 对管少的时候不振荡,多加几对管后就容易振荡了;
    原因1:管子增加时,栅极驱动走线变长,环路变大,容易在相对较低的频率下产生振荡。(注意是相对较低,在该频率上使管子仍具有较大的gm)
    原因2:管子并联后,Coss和Ciss同步增加不引起问题,但等效gm增加,或者说每对管子的等效负载阻值变大了(每个管子分摊的轻了),增大振荡风险。

    5.4 采用东芝管子不振荡,而采用日立管子容易振荡;
    它两个是垂直型和平面型MOSFET的代表。
    日立管具有较大的Coss,造成日立管的振荡风险大。虽然日立管具有小的gm,但它的Crss很小,远小于东芝管;并且东芝管在小电流的情况下gm并不比日立管大很多,这就造成在高频段,日立管的高频响应仍然很好,保持较大的gm,增加振荡风险。

    6.        设计指引

    6.1 栅极串联电阻
    没什么可说的了,效果明显,缺点是降低了高频响应;
61.JPG

    6.2 减小高频阻抗
    我们可以从输出茹贝尔网络上下功夫。减少Rsn,就等效于降低了高频负载电阻,这种做法应该很有效果。不过针对输出级振荡,我还没有验证过,望有网友遇到此问题或者优化电路时进行验证。如果证实有效,比增加栅极电阻要好的多,这样做几乎不降低电路性能。
    但减少阻值要有个度,如果茹贝尔网络的RC极点接近或超过振荡点,就没有任何作用了,却会起反作用。必要时还要调整电容值(增大)。
62.JPG

    6.3 减少负载电容
    这个也很有用,但各晶体管的Coss是极限了。外部线路板和元件的安装等造成的分布电容并不大,但喇叭线和音箱内部的等效负载电容的引入,就带来了很大的不确定性。如果我们在茹贝尔网络到输出连接器之间加入一个电感,就能较好地减少外部的不确定性,来提高稳定性。电感上并联电阻能减少振铃。
63.JPG

    6.4 降低高频增益
    不得已而为之,比如GS之间并联电容,GD之间增大米勒电容,栅极引线上串联磁珠等等。

    6.5 减少环路面积
    PCB和布局设计上下功夫,使得栅极回路的谐振荡在更高频段,使得此时的晶体管没有足够的增益产生振荡。

    写在最后
    在音色等方面,每个人有不同倾向,但在电路稳定性上却都有一致的追求。电路产生的稳定性问题没有玄学,不可能游离于电子学之外。建立了尽量接近实际器件的模型,并辅以科学的分析方法,总能对我们的设计带来指导,避免盲目性并给设计带来隐患而不知。
    本文档参考了瑞萨科技的功率《MOS FET 结构与特点》、《功率MOS FET的特性》、美国国半的设计指引以及相应器件的官方规格书。
    本文采用的图片为个人器件和设计实拍。

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