再谈温度对三极管参数影响的理论解释

hongxinlz

下文摘自《晶体管放大电路》，关于我做的PCB为什么不把推动管安装在输出管的同一散热器上，而是各自独立安装的做法，该文有很好的理论解释。为希望对于很多人不理解此方面原理的多少有些帮助，特转摘此文。
　　
我们知道，半导体材料的导电特性对温度的变化是敏感的，因此三极管的参数都与温度有关。由于一些电气控制设备往往是在高电压大电流情况下运行，周围环境温度较高，因此三极管参数与温度的关系在实际工作中尤其显得重要。下面我们主要介绍温度对ICBO、 ICEO、 β及发射结正向压降UBE等参数的影响。
　　温度升高， ICBO增大。这是由于ICBO是集电区少数载流子造成的，因而与温度有很大关系。一般来说，温度每升高10℃，锗管和硅管的ICBO将增大一倍，如图2-19所示。对锗管而言，温度变化引起ICBO的变化比硅管严重。由于ICEO是ICBO的（1＋β）倍，因此穿透电流受温度影响最大。 ICEO增大，输出特性曲线上移，如图2-20所示。

图2-19 温度对ICBO影响示意图 图2-20 温度对输出特性曲线影响示意图

图2-21 温度对β的影响示意图
温度升高，电流放大系数β增大。温度由15℃升到45℃， β增大约30％，如图2-21所示。
　　在相同的基极电流IB情况下，温度每升高10℃，发射结的正向压降UBE下降约2.5毫伏。如图2-22所示。如果维持UBE不变，则基极电流IB会随温度升高而增大。
　　由于集电极电流IC＝βIB＋ICEO，上述参数的变化最终使IC随温度升高而增大。由此可见，为了使电路稳定工作，实际运用三极管时必须克服温度的不利影响。
　　此外，集电极最大耗散功率PCM和反向击穿电压
　　U（BR）CEO受温度的影响也较大。温度升高使PCM降低，
　　U（BR）CEO也会降低，如图2-23所示。

图2-22 温度对硅管的UBE影响示意图 　　图2-23 温度对U（BR）CEO的影响示意图

0215波涛

+好学习.

btso

这个要好好学习