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发表于 2006-8-4 02:11 | 显示全部楼层

[转帖][原创]五极管推高极间电容高的三极管为什么高频那么惨?现在学习Miller效应。

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 楼主| 发表于 2006-8-6 02:46 | 显示全部楼层
<p>那退耦以薄膜电容为好了?古董电解高频特性差是因为卷绕电感大吗?</p>

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发表于 2006-8-5 23:31 | 显示全部楼层
<p>ECC32兄的-3db点如果我没记错,就在20K左右,是符合理论计算的,结合分布杂散电容,误差甚小。另外需要考虑,多数人采用电解电容退耦,当古董电解电容高频特性较差的时候,电源高频内阻也相应增大,于是本级输出阻抗也提高了</p><p>而张八点就纯粹是在胡说了</p><p>显然他不懂管内阻和交流负载并联等效成为输出内阻的道理</p>

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 楼主| 发表于 2006-8-5 14:07 | 显示全部楼层
<p>对比一下张八点的Miller效应:</p><blockquote>请看:米勒效应(Miller&nbsp;Effect)<br/><br/>上面提到驱动强放管300B的电压放大管,除了要输出摆幅要大到74V或以上之外,还要输出阻抗低,这是因为强放管的米勒效应(Miller&nbsp;Effect)比较高之故!也就是极间电容之故!<br/><br/>我们知道真空管的极间电容愈大,高频响应就愈差,强放管的各极之间的距离比较大,因此极间电容比一般小型电压放大管要大得多,如果驱动强放管的输出阻抗低,影响的程度就比较小,而三极强放管的米勒效应比四极或五极管更大,因此驱动级的输出阻抗要更低。<br/><br/>强放管的高频响应除了与强放管本身级与级之间电容有关之外,还与前面驱动级的输出阻抗有关,驱动级的输出阻抗愈低,功率管的米勒效应愈可以忽视,因此驱动级除了要输出摆幅大之外,还要输出阻抗低。<br/><br/>其实任何两级放大之间都有这种关系,并不只是功率级与驱动级,只不过是功率管的极间电容较大,因此驱动级的输出阻抗就变得更为重要了。<br/><br/>我们都可以用前一级的负载电阻,与後一级的极间电容,计算出其概略的-3db高频截止点,其公式为:<br/><br/>fc=1/2πRL{Cin+Cgp(1+A)}<br/><br/>=159/RL{Cin+Cgp(1+A)}<br/><br/>其中:<br/><br/>fc=後一级真空管的-3db高频截止频率,单位是KHz。<br/><br/>RL=前一级真空管的屏极负荷电阻,单位是MΩ。<br/><br/>Cin=後一级真空管的输入电容,也就是栅极到灯丝之间的电容,单位是pf。<br/><br/>Cgp=後一级真空管的栅极到屏极之间的电容,单位是pf<br/><br/>A=後一级真空管的增益。<br/><br/>由上式即可知前一级的屏极负载电阻愈低,後一级的Cgp愈小,增益愈低,高频截止点就愈高,换句话说,高频响应就愈好。<br/><br/>那要如何来选择电压放大级(驱动级)的真空管呢﹖当然是要挑选输出阻抗低的真空管,才能获得较佳的频率响应。<br/><br/>怎麼样的真空管输出阻抗低,又什麼情况之下的输出阻抗低呢﹖<br/><br/>·真空管的屏极电阻(屏内阻)愈低,输出阻抗就愈低。<br/><br/>·屏极负载电阻愈低,输出阻抗愈低。<br/><br/>·电流愈大,输出阻抗愈低。<br/><br/>·在阴极电阻上用一支电容器旁路,输出阻抗就會大幅降低。<br/><br/>下列方法也可以降低输出阻抗,但不符何「张八点」的原则,因此仅供参考用:<br/><br/>·并联真空管,可降低输出阻抗。<br/><br/>·用Cathode&nbsp;Follow电路,可降低输出阻抗。<br/><br/>·用SRPP电路,可降低输出阻抗。<br/><br/>举两个真空管的例子:<br/><br/>我们可用最常见的两种真空管代入上列公式,来看看频率响应:<br/><br/>例如我们已知300B的极间电容:<br/><br/>Cgp=15pf<br/><br/>Cgf(即输入电容Cin)=9pf<br/><br/>Cpf(即输出电容Cout)=4.3pf<br/><br/>假设我们用一支rp较高的真空管12AX7/ECC83来驱动300B,根據规格12AX7/ECC83的rp为62.5KΩ,一般三极管的屏极负载电阻RL大多设定在屏内阻rp的3 ̄7倍之间,我们取其中间值5倍为屏极负载电阻:<br/><br/>62.5KΩ×5=312.5KΩ<br/><br/>代入上式:<br/><br/>fc=159/RL{Cin+Cgp(1+A)}<br/><br/>=159/0.3125{9+15(1+3)}<br/><br/>=7.37KHz<br/><br/>试想,在一个没有负回授的扩大机内,放大电路的频率响应只到7.4KHz,这支真空管可以用吗﹖<br/><br/>又假设我们为求较低的输出阻抗,所以取其最低的屏极负载电阻,即rp的3倍为屏极负载RL,即:<br/><br/>62.5KΩ×3=187.5KΩ代入上式:<br/><br/>fc=159/RL{Cin+Cgp(1+A)}<br/><br/>=159/0.1875{9+15(1+3)}<br/><br/>=12KHz<br/><br/>试想,在一个没有负回授的扩大机内,放大电路的频率响应比输出变压器的频率响应还要窄,这支真空管可以用吗﹖<br/><br/>又假设我们用一支rp较低的真空管来推300B,例如ECC82,根據真空管手册ECC82屏内阻在屏压在250V时,rp=7.7KΩ,如果我们也用7.7KΩ×5=38.5KΩ为RL代入上式:<br/><br/>fc=159/RL{Cin+Cgp(1+A)}<br/><br/>=159/0.0385{9+15(1+3)}<br/><br/>=59.8KHz<br/><br/>这个真空管的频率响应还不错,也由此可知,&nbsp;<br/></blockquote>

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 楼主| 发表于 2006-8-4 22:49 | 显示全部楼层
<p>那么*坛的*32兄的EF37A推300B为什么测试的0db转折点在15Khz左右呢?</p>

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发表于 2006-8-4 22:35 | 显示全部楼层
<p>第二个是对的</p><p>当然还有实际安装的分布电容</p>

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 楼主| 发表于 2006-8-4 20:42 | 显示全部楼层
<p>现在验算:</p><p>1)按五极管输出阻抗计算,五极管由于内阻很大,输出阻抗可近似认为是屏阻,即便91K。300B标准工作状态时的Cgp=15pf,Cgk=9pf,Mu=3.85,则Cin=81.75pf。代入公式,得截止点频率为21.75Khz,0db转折点为: 15.38Khz。好像现实合乎计算。</p><p>2)按五极管负载阻抗计算,负载阻抗为66.72K(屏阻与栅漏之并联),代入公式,得截止点频率29.6K,0db为20.9Khz。</p><p>哪一个计算是对的呢?</p>

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发表于 2006-8-4 20:35 | 显示全部楼层
严格来说,整体的衰减是连续的,0db在工程上认为10个倍频程即可
如果是0db衰减,那么阻抗和中频段是一样计算的
实际上,如果整机带有负反馈,对于胆机,开环-3db点在音频上限的一倍以上即可
如果是无反馈,最好有5个倍频程的宽度
实际上不宜把-3db点设置为20KHz的原因是这个时候有较大的附加相移,而频率越高,相移对声音的影响越大
对于第二个问题,本来计算放大倍数的时候,交流负载即要考虑下一级栅漏电阻
所以也就不需要分开考虑了
P.S. 资料我收到了,等我周末贴上

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 楼主| 发表于 2006-8-4 20:30 | 显示全部楼层

[原创]验算一下,先找个经典300B图。

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 楼主| 发表于 2006-8-4 20:16 | 显示全部楼层
<p>J版,看完这个资料后我有两个问题请教:</p><p>1) 如果我想算出20Khz处0db衰减时的Zs应如何计算? 因为只给了-3db的公式。因为-3db的意义是放大率是0db的0.707倍,是否我把-3db处算出的Zs乘以0.707即可。</p><p>2) 这个模型没有考虑栅漏的影响,那么我们能否把栅漏也考虑为信号源的内阻,即实际上在阻容耦合的情况下,这个Zs是前级的负载阻抗,是所谓Rp//rp//RL,而不仅仅是一般意义的输出阻抗,如三极管情况下的(Rp*rp)/(Rp+rp)。</p>

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发表于 2006-8-4 06:32 | 显示全部楼层
<p>尽管不是很懂,也知道了个大概!</p><p></p><p>好贴!</p>

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<p>[em03]玩新东东中,稍等</p><p>这几天懒了点</p>

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 楼主| 发表于 2006-8-9 12:49 | 显示全部楼层
<p>这个顶起来,J版还没有回答。</p>

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 楼主| 发表于 2006-8-8 01:39 | 显示全部楼层
<p>如果我想20khz仍然保持0db,即频响曲线仍然平直,应该如何计算呢?</p>

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发表于 2006-8-7 09:32 | 显示全部楼层
<p>古董电解由于寿命,材料,设计等等因素都不如现代的了</p><p>因为电容不是专为音响生产的,所以拿主观听感来说古董电容比现代电容好是毫无意义的</p><p>显然现代电容体积更小,漏电更小,高频特性也更好,也不容易发热,脉冲特性好</p><p>用薄膜电容则体积过大,成本较高,如果有这个空间可以尝试</p><p>一般以质量较好的电解电容即可</p>

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发表于 2006-8-12 18:29 | 显示全部楼层
<p>拖了点时间,很抱歉了,最近一直在玩小单端</p><p>对于这个问题,参考资料我先介绍一下:自动控制原理,电子电路教材模拟部分,信号系统分析等都有论述</p><p>实际问题分析:</p><p>把前一级的电压放大考虑等效为:信号源内阻Ri,电压信号源Us</p><p>后一级考虑为输入对地等效电容Ci,输入电阻忽略不计</p><p>这样,Ri和Ci构成了一阶低通网络</p><p>他们的高频区电压增益Avh(复数值)=1/[1+j(f/fH)],j为虚数单位,即数学上常用i来表示,工程上用j表示</p><p>其中fH就是我们工程上所述的半低功率点,也就是-3db点</p><p>f是所在点的频率</p><p>这样,高频区的电压增益幅值和相角分别是:</p><p>Avh(实数值)=1/√ ̄[1+(f/fH)^2]</p><p>φh=-arctan(f/fH)</p><p>这样,当-3db点,f=fH时。显然,φh=-arctan1=-45度</p><p>而要Avh=0,则要求分母√ ̄[1+(f/fH)^2]无穷大</p><p>这样显然是不可能的,于是工程上认为,当f=0.1fH时即为0db衰减</p><p>实际上,对于多数电子管而言,开环设计f=0.3-0.2fH即可</p><p>即对于20kHz,fH设计为60kHz-100kHz就足够了</p>

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 楼主| 发表于 2006-8-11 01:23 | 显示全部楼层
J斑玩够了指导一下后进呃。

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发表于 2006-8-13 11:02 | 显示全部楼层
<p>实际上频率越高相移对听感的影响越大</p><p>但是一般人耳对谐波起始相位角的敏感程度不严重</p><p>有负反馈的情况下,需要考虑剪切频率的相角裕度,防止系统不稳定或者临界稳定</p>

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 楼主| 发表于 2006-8-13 04:56 | 显示全部楼层
谢谢!截止点相移45度,对人的听觉产生的实际影响是什么?假定没有采用反馈的话。
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