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楼主 |
发表于 2006-2-5 11:54
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补上原理图和相片
[原创]年度制作:晶体管PC参数测量仪
[原创]年度制作:晶体管PC参数测量仪
原理:
基极上串连1K采样电阻,分别测量1K两端上的电压V1、V2,这样V2就是Vbe,而基极电流就是:(V1-V2)/1000 - V2/30000
同样集电极串连3.4欧采样电阻,分别测量其两端电压V3 v4,这样V3就是Vce,集电极电流就是:(V4-V3)/3.4 - V3/30000
根据上述4个数据就可以测量很多东西了,例如测二极管正向特性和电阻就是只测Vce和Ic;测N-MOS就和NPN一样,但只关心Vbe和Ic就行了。
测量PNP可能麻烦一点,还在写程序,打算是PNP的发射极接C,集电极接地,不过一开始Vbe就设置成较高电压,集电极电压就从0慢慢升高直到V4>V4为止,这时候PNP管才正式导通。
测光电耦合器是光电二极管接在集电极和地,而光敏三极管接在基极端测量
J-FET较麻烦,打算是源极串连基准电阻后,像NPN一样接入测量。
下面谈谈使用中得缺点:
因为基极采样电阻只有1K,而MAX188得精度只有1mv,还经过3倍分压,还有干扰,所以在基极采样电阻上的压降要达到10mV才可信,这样基极电流就至少得10uA才能有效测量。同样集电极采样电阻只有3.4欧,如果集电极电流小于3mA就是误差了。这样导致不能有效测量小功率管。
DAC输出电流最大2.5mA,这样基极也最多2.5mA,测量Hfe较低的就不好办;集电极采样电阻3.4欧,这样在电流1A时,压降达到3V,留给测量管的只剩下5-7V了,
现在正在构思1.1版本,基极采样电阻分两档,两个接线端b1/b2,采样电阻分别是10K和100欧,并且基极电流也加入扩流。最大输出120mA;集电极采样电阻也分两档c1/c2,采样电阻1K和1.4欧, Vce输出部分的扩充电流部分打算加入限流,以保护管子。这样将c1 c2 和 b1 b2组合有四种量程,满足Ib=1uA--100mA,Ic=100uA--2A测量。但量程不用继电器切换,而是插到不同插座上,原来只使用4个通道ADC,现在用6通道ADC输入端,这样就不用增加继电器和控制线。新板打算放4个5位接线柱,用于接大功率管测量。还放一个DIP20锁紧插座勇于测量小功率管。这样就能满足除了To-3外任何管脚插法。
原来还想扩充Vce电压范围到0-36V,但试了手头LM358, TL072,MC4558,LF353,LM833,NE5532等多种运放,都不能在单电源下、输入端<0.7V工作,所有的运放当输入端<0.8V就锁死了,必须断开电源才能重新工作。只有LM10CL还可以工作到输入接近0.1V,但此运放工作电压又不能超过20V,因此扩展Vce就不打算做,实际上DAC最大输出11.5V,扣除跟随器Vbe压降和1.4欧采样电阻上压降,一般都可以保证Vce=10V.可以满足一般需求。
测量没有温升是一个很好很好的好处,一般人试过在>0.3A下手动测量管时,即使加散热片,但看着读数不停升高,根本不知道什么时候读数才好。而这个测量器测量是没有温升,排除了管子自身温升影响,通过外加加热器自己控制温度,就能保证每一只管都可以在同样温度下测量。 |
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