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发表于 2024-6-21 14:08
来自手机端
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本帖最后由 hwckent 于 2024-6-21 14:59 编辑
楼主既然不懂电路也不懂原理,怎么知道氮化硅场效应管在功放的应用好或不好?
普通场效应管由于分布电容不可能做的特别小,频率就上不去,强行提高频率管子开关损耗就大了 效率提不上去。同样功率 体积就不能进一步缩小。
氮化镓MOS管由于其独特的材料特性和结构设计,分布电容小,在高频、高功率应用中展现出显著的优势,几年前体积的手机充电器现在用氮化镓mos管能做一两百瓦。
可见同样功率,频率越高越利于体积的缩小而已,和噪声没直接关联。
有些开关电源利用谐波软关断拓扑,就是在零电压或零电流下mos管开关,降低开关损耗的同时也高次谐波,提高电源质量。但这和氮化硅mos管无直接关联,软关断拓扑也可以用可控硅 也可以用三极管 mos管 氮化镓 碳化硅。。。等等做开关的。
再补充一点,开关电源就因为造价便宜,体积小效率高才取代传统电源的,举个例子,一台功放50Hz供电,滤波电容10万u,当你频率提升一倍,电容就能降低一倍就能达到同样的滤波效果,当你频率提高100倍 1万倍是不是把电容的钱省下了。。
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