锗管自倒相RC推挽电路/锗管仿真模型

lin889889 · 发表于 2023-3-16 23:36

locky_z 发表于 2023-3-16 23:26
这种“自倒相跟随器”的输出结构，并且是跟随器，因此特性和用BJT/FET没啥关系的。
用BJT/FET都会产生下 ...

用BJT做自倒相放大器的输出管，不会有这种失真，所以在BJT输出的自倒相放大器中没必要关心这个问题。

zfl1211 · 发表于 2023-3-17 09:11

本帖最后由 zfl1211 于 2023-3-17 09:21 编辑

lin889889 发表于 2023-3-14 22:15
首先说明一下，我无意想说哪个电路更值得玩，1楼或29楼电路都是多年前前辈们玩过的东西。我只是想从原理上 ...

关于RC倒相，耦合电容用小了，50HZ下的波形确实难看。要么加大下面的100欧电阻，要么加大电容。对C的充电，本来存在充电速度大于放电速度的问题，与100欧并联的二极管就是解决放电慢的问题。所以只能加大电容。经实测，电容用到680uf，就完全没有问题了。这个RC自倒相电路还有一个亮点，耦合电容与100欧电阻的加入，使得推挽功放管具备了一定的动态偏流，避免过早削波，改善了失真。
另外，这个电路是在特定环境下产生的，主要用于同极性管，当年P型锗管多，是一种无奈的选择，所以本电在当时也算是一个亮点。现在的器件，让你想怎么倒相都可以，没必要拿现在的器件去做RC倒相或CE倒相，出来的参数肯定好不到哪里去，随便一个差分倒相，就让指标好看很多。
所以，使用同极性半导体器件的朋友，有兴趣的可以继续讨论。其他扯野棉花的就算了。

lin889889 · 发表于 2023-3-17 11:59

zfl1211 发表于 2023-3-17 09:11
关于RC倒相，耦合电容用小了，50HZ下的波形确实难看。要么加大下面的100欧电阻，要么加大电容。对C ...

我的理解：100Ω电阻对改善耦合电容C4充放电的对称性作用微乎其微，在这里其关键作用的还是Q5。但是Q4到Q5之间的导通是不连续的，所以C4需要足够大的容量来保持其二端电压恒定，这也是为什么低频时C4需要很大容量的原因。如果没有Q5，C4取多大的容量都不管用的，这一点只要仿真时间够长就能看到。

wwwtttwww · 发表于 2023-3-17 14:46

怀特阴极跟随器，就不难分析电路的工作原理了。

zfl1211 · 发表于 2023-3-27 08:15

输入1Vrms，带载20欧电阻，测了下波形，发现过了15K后，波形出现如图形状，外围参数做了一些调整，不能改善。不带载波形很漂亮。目前没找到原因。

zfl1211 · 发表于 2023-4-7 08:48

本帖最后由 zfl1211 于 2023-4-7 08:49 编辑

经过反复试验，波形凹陷问题跟三个因素有关：1.前面的射随电流（即驱动力）；2.大管的频响；3.下管的β值。射随电阻调整为1.2K，下管挑选β为70的管子，问题基本解决。下步尝试用2Z730C、3AD35C的管子。声音甜美！！！