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发表于 2021-12-18 07:29
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本帖最后由 Lou 于 2021-12-18 09:44 编辑
那些烧过的年代 发表于 2021-12-18 05:14
看来也都是一脸懵逼
我上網 Google 一下,第四代,第六代半導體都有資訊,但沒有第五代。
所以嚴格的說,在我的理解中,只有三代。
第一代是混合物半導體,像矽鍺之類。因為是混合物,高壓和高電流容易導致 pn junction 被破壞。好處是容易製作,特別是 IC,雜質混進去就好。
而所謂的第二代半導體和以後,改為化合物半導體。其 P 與 N 的差別,雖然都是 GaAs, 在可是 幏 與 砷 的比例不同,適合高速,溫度即使較高,其 pn junction 也不容易解體。像 5G 的射頻裝置很適合。我不知道化合物半導體的 IC 怎麼做。
而第三代半導體,仍然是化合物,不同材料的化合物。導通需要更高電壓,但同時也耐高壓。用在電動車上合適。SiC 就是一種材料,在逆向偏壓時,匱乏層擴的很慢,不容易打穿。
而 Cree 的第六代半導體廣告,只看出它是 shocky diode, 因此在順向導通電壓上佔優勢,但逆向電壓吃虧很多。可能剛好符合目前汽車電池電壓的要求。
也許有公司宣傳自己有第六代半導體技術,其他公司只好跟進亂說一通,否則自己的產品就不太吸眼球了。新科技最喜歡幹這種事。
早期 Intel 和 Motorola 競爭時,彼此都推出一系列的計畫和廣告,包括從 CPU, 記憶體,IO 控制,記憶體控制器,等等。就希望客戶先用這些紙面產品,設計出終端產品。這樣客戶就被鎖住了。至於紙面產品會不會問世,就看半導體公司的信用與號召力了。
大家都在吹 !不懂的人裝懂,也在隨聲附合,牛就是這樣吹大的。
對音響而言,不同的合金介面就有不同的聲音。即使是矽元件,蕭基就有不同的聲音。而 SiC 的耐高壓特性,除非你交流電輸入的峰值到六百伏以上,否則享受不到好處。至於聲音有多少不同,要看其他的音染比整流時的音染大多少。 |
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