谁有晶体管图示仪帮忙测试一下，谢谢了。

西西密教父

lin889889 发表于 2021-4-3 21:40
是你自己太笨，别人都说到这个份上了还不知道怎么关断，在这里满嘴喷粪。

你，十年嘴炮。

locky_z

这电路可能有问题，从反馈极性形式来看，好像相反，
但究竟那个反馈起决定性作用，可能还和外部负载有关或者和电路形式有关，

西西密教父

lin889889 发表于 2021-4-3 21:40
是你自己太笨，别人都说到这个份上了还不知道怎么关断，在这里满嘴喷粪。

呆子，自己去实战，自己点火试试，今年的医保没用浪费了，现在有机会用了。

lin889889

牛哥 发表于 2021-4-3 20:26
如果再延伸想一下，把两个复合管的极性都做个调换，用IRF9610和2SC5200采用这个形式复合，结果会怎样？是 ...

可能只适合小功率放大器，估计效率非常低。一是电阻损耗很大，二是复合管的导通电压损失也很大。

牛哥

lin889889 发表于 2021-4-3 21:54
可能只适合小功率放大器，估计效率非常低。一是电阻损耗很大，二是复合管的导通电压损失也很大。

这就是个想法而已，根据上面32楼“jingli999”同学的测试曲线，和我16楼的仿真结果，确实是有很明显不饱和特性，先不说是不是真的要实用，用饱和特性的廉价管子，能出来类似昂贵的SIT管特性，就算是个探讨吧。

lin889889

牛哥 发表于 2021-4-3 21:58
这就是个想法而已，根据上面32楼“jingli999”同学的测试曲线，和我16楼的仿真结果，确实是有很明显不饱 ...

具有不饱和特性是毫无疑问的。

西西密教父

又开始糊弄观众了，每次都怪管子，反正管子没嘴巴。

不能饱和，场管的0.02欧怎么测量出来的？

牛哥

西西密教父 发表于 2021-4-3 22:05
又开始糊弄观众了，每次都怪管子，反正管子没嘴巴。

不能饱和，场管的0.02欧怎么测量出来的？

您看您这也不帮忙测试，应该是还不明白什么是“饱和特性”和“不饱和特性”。。。。
谢谢您的积极参与。

西西密教父

牛哥 发表于 2021-4-3 22:09
您看您这也不帮忙测试，应该是还不明白什么是“饱和特性”和“不饱和特性”。。。。
谢谢您的积极参与。

谢谢，我只知道不饱和脂肪酸，没听说IRF610有不饱和特性。


文盲咱就说文盲，套个词掩饰就高大上些？

不会玩，搞不成，就道个歉，这么难吗？

牛哥

西西密教父 发表于 2021-4-3 22:22
谢谢，我只知道不饱和脂肪酸，没听说IRF610有不饱和特性。

您需要的什么道歉？帖子的标题很明确，让论坛的同学帮忙测试一下曲线，目标现在也明确，看看这个“复合形式”是不是具有不饱和特性。

locky_z

试一下用“压控电流源”代替MOS管，“流控电流源”代替三极管，画出交流等效电路，应该可以得出输出内阻公式。

西西密教父

牛哥 发表于 2021-4-3 22:28
您需要的什么道歉？帖子的标题很明确，让论坛的同学帮忙测试一下曲线，目标现在也明确，看看这个“复合形 ...

第一，是你邀请别人来看的。
第二，已经告诉你行不通，原因说得一清二楚，SD两边形成固定的0.6V，抬高了S电位，
      场管不会关断。
第三，在使用RIF610的时候不认真看说明书，轻浮自大。
第四，见陌生人就踩，搞小集团。自己人就吹捧，洋洋洒洒不吝词汇，非常恶心，导致本人少吃了一碗饭。
第五，危险的事窜脱别人做，名誉自己拿。
第六，搞不成就捏造词汇，怪管子，你不会玩不代表别人不会玩。

你居然厚颜无耻的说凭什么道歉

小屁孩，道个歉我告诉你怎么玩。

牛哥

西西密教父 发表于 2021-4-3 22:44
第一，是你邀请别人来看的。
第二，已经告诉你行不通，原因说得一清二楚，SD两边形成固定的0.6V，抬高 ...

第一，是你邀请别人来看的。

错了,我不是邀请别人来看的，是请别人来帮忙测试的。

第二，已经告诉你行不通，原因说得一清二楚，SD两边形成固定的0.6V，抬高了S电位， 场管不会关断。

行不行得通我要看测试曲线之后才知道，让你看32楼的曲线，你自己不看，您没看到实测的曲线，在电流可控的范围内，UG的电压高于UD么？我是为了慎重，还特意请别人做个UD更宽范围的曲线，但是到现在还没有结果。

第三，在使用RIF610的时候不认真看说明书，轻浮自大。

这根IRF610的规格书没有任何关系，几年前我用的是2SK214试验过。

第四，见陌生人就踩，搞小集团。自己人就吹捧，洋洋洒洒不吝词汇，非常恶心，导致本人少吃了一碗饭。


怎么成了互相吹捧呢？满篇的帖子里，是“lin889889”同学第一个能说出来这个复合形式具有“不饱和特性”的，我当然佩服了。您现在都没明白别人的意图呢，我肯定不会感谢您。

第五，危险的事窜脱别人做，名誉自己拿。


你肯定没有用过晶体管图示仪，这个复合形式的测试没有任何危险，而且32楼已经测试出来一个结果了。

你居然厚颜无耻的说凭什么道歉。


你再想想是谁无耻+无知？

西西密教父

好吧，版主说话，我就不欺负小朋友了。

因为你的S电极锁定了0.6V，那么G级要控制住就需要往上再走11V，就可以控制住。

牛哥

西西密教父 发表于 2021-4-3 23:01
好吧，版主说话，我就不欺负小朋友了。

因为你的S电极锁定了0.6V，那么G级要控制住就需要往上再走11V ...

看看回帖时间吧，您的先入为主的思维方式，注定了让我看不起。

牛哥

西西密教父 发表于 2021-4-3 23:01
好吧，版主说话，我就不欺负小朋友了。

因为你的S电极锁定了0.6V，那么G级要控制住就需要往上再走11V ...

    同样是仿真，你自己睁大眼睛好好看看16楼的截图，0A到0.001A的电流，会在100K的电阻上产生多大的压降变化？再结合32楼的实测结果看看。
    你以为自己聪明，其实别人早就想到了。

lin889889

牛哥 发表于 2021-4-3 23:13
同样是仿真，你自己睁大眼睛好好看看16楼的截图，0A到0.001A的电流，会在100K的电阻上产生多大的压降 ...

算了，还是回到主题：从实测结果来看，如果能把电阻的功耗降下去，那么这个模拟SIT还是蛮不错的。

牛哥

locky_z 发表于 2021-4-3 22:42
试一下用“压控电流源”代替MOS管，“流控电流源”代替三极管，画出交流等效电路，应该可以得出输出内阻公 ...

嗯，是的。
其实现在也不用搞那么复杂了，仿真和实测的结论方向是一样的，这么个复合方式，因为场管的离散性，感觉很难量化到细致程度，因为这个时候场管处在一个U-DS很小的工作电压。

西西密教父

牛哥 发表于 2021-4-3 23:13
同样是仿真，你自己睁大眼睛好好看看16楼的截图，0A到0.001A的电流，会在100K的电阻上产生多大的压降 ...

你上一个帖子的图纸是不是抄的？你那张图都知道要抬高电压，这里怎么不会啊！

场管是压控元件，你的S级被锁定了电压位比如是39.4V，你要想出音频，你的音频输入电压起点需要在原电

压的位置再往上走。跟那个100K有什么关系，你把老花镜搽干净，带上假牙再说话。

只不过我刚好玩过而已。我要你佩服什么？自作多情。