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发表于 2019-1-6 21:15 | 显示全部楼层
求科普,三极管Vbe的反向击穿电压为什么远远低于VCBO和VCEO?看了很多管子的数据手册,Vbe每一个大的,这是为啥?

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发表于 2019-1-6 21:26 来自手机端 | 显示全部楼层
这应该是三极管娘胎里带出来的特性。CBO和CEO是一个三极管的重要参数,管子的耐压讲的就是这个参数。反向VBE一般都在10伏以下,再说三极管工作基级一般都是正偏,反偏用的少。最主要原因应该还是由于特定工艺决定的吧

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发表于 2019-1-6 21:27 | 显示全部楼层
多数应用be结不承受反压,Vbe高有啥用。在BJT的制造工艺中提高Vbe会降低hef。

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发表于 2019-1-6 21:49 | 显示全部楼层
patch 发表于 2019-1-6 21:27
多数应用be结不承受反压,Vbe高有啥用。在BJT的制造工艺中提高Vbe会降低hef。

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发表于 2019-1-6 21:55 | 显示全部楼层
而且还会随着 硅晶片温度的上升而变化。

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发表于 2019-1-6 21:57 来自手机端 | 显示全部楼层
本帖最后由 Lou 于 2019-1-6 22:19 编辑

應該問的問題是,jfet, 2sk170,   為何 vgs 可以加到 -30V 仍不損壞,而雙極性的逆向 Vbe 就不行 ?

還有, 大家一天到晚場管來場管去, 為何叫場管 ?

另外, 為何叫雙極性晶體管 ?

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Lou 发表于 2019-1-6 21:57
應該問的問題是,jfet, 2sk170,   為何 vgs 可以加到 -30V 仍不損壞,而雙極性的逆向 Vbe 就不行 ?

高手问问题就是特别

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怎没问地球怎麽是圆的?  

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XLS119 发表于 2019-1-6 22:42
怎没问地球怎麽是圆的?

现代科学以证明地球不是圆的

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扁的  发表于 2019-1-7 00:57

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阴险发烧友 发表于 2019-1-6 23:37
现代科学以证明地球不是圆的

古代就证明了地球是平的

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发表于 2019-1-7 01:20 来自手机端 | 显示全部楼层
本帖最后由 Lou 于 2019-1-7 01:39 编辑

這種問題科普不來。就像幼稚園畢業生要求科普相對論一樣

1。先要瞭解什麼是擊穿,也就是最大逆向電壓 :

a. 瞭解半導體與非半導體之不同。不要笑,論壇上很多人都不知道。
b. 兩種不同半導體接合在一起為何有潰乏層。以及它如何隨電壓而變
c. 潰乏層如何造成 punch through,擊穿。

2。 瞭解雙極晶體的結構

a. 雙極晶體如何放大訊號。
b. 如何利用製程控制放大倍數。

3。 這樣才能理解為何逆向 Vbe 不大的原因。以及為何 Vceo < Vbco

4。順便瞭解單極性的場管。以及為何 jfet 沒有這種限制。

5。特定小範圍的話題可以討論。否則一下這麼多話題,根本無法吸收。百度都只能隨便說說

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