这变压器正常吗

suweidong100

你的EI133*78可根据匝数公式N = U * 10000 / 4.44 / f / A / B = 230V * 10000 / 4.44 / 50Hz / (4.4*7.8) / 1.0T = 302t。初级绕252(B=1.2T)～302(B=1.0T)匝，磁密别取太高，否则噪音大发热大，不适合做功放

你好，今天又仔细测算一下，算出初级绕组只有240圈，我把次级串联进初级增加圈数，增大284圈时候，电流是160MA.增大到328圈时候，电流是110MA，当时，市电电压是234伏特的 。请问，我这个初级多少圈比较合适，另外，如果初级电流激励电流过小的话，会不会影响变压器的功率，请指教！铁芯是旧的z11,谢谢

chipset0418

首先，别信什么Z11这种十几年前已经停产的玩意，你买的到底是什么，卖货的商人自己也不知道。再者Z11并不是做EI最佳选择，炒作Z11的除了商人就是不明事理的DIY者，Z11是取向硅钢片不适合做EI，从磁路上分析，做EI用取向片是技术失误！最后，EI需要插片，空载电流大小依赖于插片的漏磁大小，所以我前面建议用小槌慢慢敲到空载最小。绕到合适的层数和差不多的匝数就行，别留不足一层，否则不平导致绕屏蔽层和次级困难。

chipset0418

内阻影响变压器功率，内阻越大带载发热越大，减小内阻可用粗线绕，但窗口有限，少绕匝数能节约铜线减小内阻，是厂家做法，但空载电流大发热大噪音大。所以这是一个各方面平衡的结果，冷轧硅钢片EI磁密取1.0--1.2，每平方毫米铜线载流量取3A

无语密码

硅钢片EI磁密取1.0，硅钢片就用普通的
硅钢片EI磁密取1.6，硅钢片就必须要好的

chipset0418

结合以上磁密取值和大约载流量取值，取一个整数层绕初级就是各方平衡后的最佳参数！

suweidong100

首先，别信什么Z11这种十几年前已经停产的玩意，你买的到底是什么，卖货的商人自己也不知道。再者Z11并不是做EI最佳选择，炒作Z11的除了商人就是不明事理的DIY者，Z11是取向硅钢片不适合做EI，从磁路上分析，做EI用取向片是技术失误！最后，EI需要插片，空载电流大小依赖于插片的漏磁大小，所以我前面建议用小槌慢慢敲到空载最小。绕到合适的层数和差不多的匝数就行，别留不足一层，否则不平导致绕屏蔽层和次级困难。

感谢朋友的热心指点，都是宝贵的经验，书本上是学不到的，收获很多，谢谢 ，谢谢！

suweidong100

内阻影响变压器功率，内阻越大带载发热越大，减小内阻可用粗线绕，但窗口有限，少绕匝数能节约铜线减小内阻，是厂家做法，但空载电流大发热大噪音大。所以这是一个各方面平衡的结果，冷轧硅钢片EI磁密取1.0--1.2，每平方毫米铜线载流量取3A

结合以上磁密取值和大约载流量取值，取一个整数层绕初级就是各方平衡后的最佳参数！

谢谢 ！

suweidong100

结合以上磁密取值和大约载流量取值，取一个整数层绕初级就是各方平衡后的最佳参数！

再向你请教一个问题，就是变压器的屏蔽措施很多种，比如，绕屏蔽层，外面包一圈铜皮，外面包铁皮，请问这3种方法各有什么特点，分别用在哪些情况下适用？谢谢 ！

zycxjl

，还不错的说。静态大了。

chipset0418

suweidong100 发表于 2019-1-8 13:14
再向你请教一个问题，就是变压器的屏蔽措施很多种，比如，绕屏蔽层，外面包一圈铜皮，外面包铁皮，请问这3 ...

初级和次级之间有一层铜皮[铜皮表面有绝缘防止短路]，有一根线引出接地。这是静电屏蔽层。因为市电“很脏”，一条路通过铁芯耦合到次级，但是硅钢对高频损耗很大基本耗光，另一条路是杂波通过初级和次级之间的杂散电容会耦合到次级，屏蔽层是隔断这条路。

变压器最外包一层铁皮是隔断漏磁防止干扰周围元器件，尤其电感。常见的用牛罩，一般铁的。有人用铝或不锈钢如果不是因为美观则属于设计失误。

变压器外包一层铜皮也是为了隔断漏磁，不过效果很差，主要是靠涡流损耗的方式发热消耗漏磁能量，效果远不及铁皮。

suweidong100

初级和次级之间有一层铜皮[铜皮表面有绝缘防止短路]，有一根线引出接地。这是静电屏蔽层。因为市电“很脏”，一条路通过铁芯耦合到次级，但是硅钢对高频损耗很大基本耗光，另一条路是杂波通过初级和次级之间的杂散电容会耦合到次级，屏蔽层是隔断这条路。

变压器最外包一层铁皮是隔断漏磁防止干扰周围元器件，尤其电感。常见的用牛罩，一般铁的。有人用铝或不锈钢如果不是因为美观则属于设计失误。

变压器外包一层铜皮也是为了隔断漏磁，不过效果很差，主要是靠涡流损耗的方式发热消耗漏磁能量，效果远不及铁皮。

感谢朋友的指点！谢谢 ！