关于场管应用，个人的一些看法

超低失真之梦

牛骑兵 发表于 2017-8-29 12:08
这个栅极串联电阻对于栅压建立时间的影响不算大，应该不是关键目的。

更加关键的目的，应该是通过这 ...

都对，  就是用电阻隔离容性负载， 防止自激。  如果不隔离充电电流大频响宽，超过了放大器能抑制的频响范围后，主要是高频放电来不及，影响输出相位，经负反馈到前级，成了正反馈。就发生震荡。。

突然

univers 发表于 2017-8-29 11:32
UHC 准互补正温场效应管IRFP260功放 PCB（2N3958+IRFP260）
想体验的可以玩一下。

看得出是用心做出来的东西，顶你。

扬帆远航

超低失真之梦 发表于 2017-8-29 10:30
实际电路中都会给mos 栅极串电阻，以增加你所说的栅压建立时间，   而不是想办法减小建立时间。

不是为了增加时间，而是为了减小振铃这是一对矛盾。换换电阻用示波器能见

超低失真之梦

扬帆远航 发表于 2017-8-30 07:30
不是为了增加时间，而是为了减小振铃这是一对矛盾。换换电阻用示波器能见

    是通过增加建立时间降低频响 从而消除振铃，  降低振铃是目的 ， 增加电阻是手段。

不增大建立时间，怎么能降低场馆频响，频响不降低如何能消除振铃。    电阻和场效应管是一个rc 组合。rc 就是低通降低频响的。

扬帆远航

超低失真之梦 发表于 2017-8-30 09:32
是通过增加建立时间降低频响 从而消除振铃，  降低振铃是目的 ， 增加电阻是手段。

不增大 ...

这么理解问题是我没想到的。我理解是建立阻尼，而且阻尼电阻都是在网络阻抗极低时才用，同音频带宽算搭界么？

超低失真之梦

扬帆远航 发表于 2017-9-1 07:33
这么理解问题是我没想到的。我理解是建立阻尼，而且阻尼电阻都是在网络阻抗极低时才用，同音频带宽算搭界 ...

我讲的是本质，你说的阻尼是表征理解称呼。是你的理解。  真的阻尼电阻应该是影响全频域的，而这里只影响了高频，

扬帆远航

超低失真之梦 发表于 2017-9-1 08:41
我讲的是本质，你说的阻尼是表征理解称呼。是你的理解。  真的阻尼电阻应该是影响全频域的，而这里只影响 ...

最好拿示波器比对看看。
功放压带宽肯定不是目的。

univers

扬帆远航 发表于 2017-9-2 07:46
最好拿示波器比对看看。
功放压带宽肯定不是目的。

支持你的说法，功放压带宽肯定不是目的。
比如上了20K就开始失真，真是得不偿失。工业MOS场管真正想做到宽频必须在推动级后面地一条路下足10倍功夫。
不是阻尼加大了来降低所为的振荡，好的架构，好的板子，我想是在35K-40K波形出来也是很完美的，也不会自激振荡。

超低失真之梦

扬帆远航 发表于 2017-9-2 07:46
最好拿示波器比对看看。
功放压带宽肯定不是目的。

  这个是需要理解的，想测量难，这频率范围都是M赫兹以上，不是解决谐波问题是主要解决开关失真引起的自激问题，  如果不降低场效应管的高频响应能力，就容易在有负反馈的做用下电路自激震荡， 如果没有负反馈，那么这个电阻也可以省略。 反馈量越大这个电阻取值应该越大。

扬帆远航

超低失真之梦 发表于 2017-9-2 09:28
这个是需要理解的，想测量难，这频率范围都是M赫兹以上，不是解决谐波问题是主要解决开关失真引 ...

测量Mhz示波器不难，现起步级好像都够50Mhz。攻放带宽现做到100khz以上不是大问题，但的确同MOSFET输入阻尼常数不相交。合理的阻尼电阻型成的阻尼常数在ns级。对百k级带宽不起什么做用，差在指数级上。对那几十k级带宽的功放就更同没有一样。

超低失真之梦

扬帆远航 发表于 2017-9-3 07:30
测量Mhz示波器不难，现起步级好像都够50Mhz。攻放带宽现做到100khz以上不是大问题，但的确同MOSFET输入阻 ...

我说的测量难，意思不是测试设备测量范围不够，是你测量看到的差别微小，很难分辨。但是它确实有影响。
就好像中医里的经络，确实有效果，解剖看不到，找不到。 这是需要理解感悟的。

流着眼泪唱情歌

最近迷上了k1058/j162对管，高音实在是诱人，可惜低音弱一点，3对并联不知效果如何

455832194

流着眼泪唱情歌 发表于 2017-9-18 18:21
最近迷上了k1058/j162对管，高音实在是诱人，可惜低音弱一点，3对并联不知效果如何

能不并联就不要并联，在推动级想想办法效果可能要好点

zergxia

牛骑兵 发表于 2017-8-29 07:27
多说一句，MOSFET输出级和达林顿输出级的驱动比较，其实有一个最直观的案例，那就是国半的LME49810和LME498 ...

@牛骑兵 你好！看了你的回帖，受益很大，感谢科普

我也发现了49830内部特殊的电路结构，它专为驱动MOS管特殊优化。之前我有考虑过在49830后面单独增加射随推动级提高它的电流输出能力，然后再驱动3-4对mos大管，提高输出功率，规避楼主提到的驱动不足的问题。
但是后面我觉得自己加的射随推动级效果可能不会理想，性能跟IC内特殊优化的驱动电路比肯定会差很远，于是作罢

我想再请教下
LME49830 做驱动，最大压摆率可以到50V/us ，最大电流输出是50ma
以2SK1530/2SJ201这对mos管的PDF参数，栅级电容好像并不比240低，已知49830可以很好的驱动两对1530/201
如果使用3对大管，在8欧、250W、100Khz的功率带宽时，压摆率需求为40V/us，49830可以满足
但是我不知道49830那50ma的最大驱动电流能不能在满足上述条件时有效驱动3对1530/201
能不能请前辈帮忙算算？谢谢了

govecdh

GйRds

意大利花园

技术贴受益多。

455832194

没想到帖子这么久了还有人关注，说通俗点就是电压电流是一个相互牵制关系，要想mos取得好的效果，推动级的功率不可忽视，这是一个相互牵制的因素，归纳为一点就是推动级输出内阻低，摆幅尽可能大，才能发挥mos的最佳性能