关于场管应用，个人的一些看法

univers

阿斯匹林 发表于 2017-8-2 09:49
以前我的电路确实有推力不足的问题，后来查明是电压级参数设计不合理。现在改成如图参数，可以把A1406和C36 ...

X宝有这样的管子，她就是说，加大电流也不会让声音变粗。

农民烧友.

听前辈们讲课，后生搬个板凳学习

阿斯匹林

univers 发表于 2017-8-2 13:37
X宝有这样的管子，她就是说，加大电流也不会让声音变粗。

我说的是增加了一级电流推动级后 声音变粗。  电流推动级和输出级 处在同样的工作状态。会不会两个管子不在一个点截止 而产生了额外的开关失真而使声音变粗？  所以我是舍弃电流推动级的。用电压放大级兼做电流推动。 就需要现有强有力的运放推动，而一般的差分管是不能产生同样效果的。

flyingf

那个驱动电流有办法用用公式量化吗？
就是计算大概需要多快的速度，多大的电流之类的。

丹麦王子

回楼上的，管子参数不一样，没法统一的吧

石城

不是场管须要大电流推动.而是作为推动的BJT因为工作电流加大,线性也会相应加大吧.

无语密码

场管有15V驱动电压就足够了

yangyuntao

我认为场管应有快速的放电回路，使栅压跟上控制电压。

牛骑兵

楼主的说法是正确的！

主要还是Cgs和Cgd寄生电容的影响，尤其是Cgd。因为Cgd是个密勒电容，在整个输出压摆范围内都会起作用。

虽然这个电容看起来不大，但是对于输出要求的压摆率来说，可真不算小。可以粗略估算一下：

一般来说，MOSFET输出级放大器都是高压输出的，就算是+/-50V吧，满功率带宽按50KHz计算，可以推出需要的压摆率大约是16V/us；

前面有人提到的IRF240，查Datasheet，Crss大约是130pF（Cgd），那么对应于16V/us压摆率所需要的充放电电流就是 2mA。

如果满功率带宽要求100KHz，那么对应的MOSFET栅极电流就至少需要4mA，这个数据相比于达林顿输出级，也不算小了。

但是，对于大部分的MOSFET输出级来说，仅仅满足压摆率驱动电流还是不够的，除非采用的全甲类电路！当采用甲乙类电路的时候，还需要考虑MOSFET开启的电容效应。
这个开启电容效应对应的MOSFET参数是Qg（总栅极电荷）。同样对于IRF240，工作于甲乙类状态时，大约会有20nC的栅极电荷变化，如果这个变化不能及时满足，也会
出现明显的失真！同样参照压摆率的时间参数，当要求50KHz的满功率带宽时，这个电流不能小于3mA，而100KHz的满功率带宽就不能小于6mA。

因此，对于无并管的单MOSFET输出级，驱动级的电流驱动能力不应该小于10mA，当采用并管设计时，这个电流需要按照并管数量同步增加。可见，MOSFET输出级在对于
驱动级的电流需求指标方面，并不比达林顿输出级低。

不过具体的实际应用情况前面也有人提到过，MOSFET的驱动主要是瞬态的，而达林顿的驱动是持续的，因此MOSFET驱动电流与输出频率密切相关，而达林顿就相对和缓一些。

牛骑兵

多说一句，MOSFET输出级和达林顿输出级的驱动比较，其实有一个最直观的案例，那就是国半的LME49810和LME49830，可以参考。

驱动MOSFET输出级的49830，在驱动级电路方面，比驱动达林顿的49810要复杂一些，主要目的就是为了保证瞬态电流的驱动能力。

这两种IC的输出压摆率都是50V/us量级，比我们前面讨论的16V/us大了3倍；如果再考虑到实际应用时的并管设计需求，和更大寄生
电容效应的MOSFET，49830搞出个几百毫安的驱动输出能力也就不奇怪了！

扬帆远航

DC就是不取电流，但交流由于前级阻抗R同栅容C所产生的时间常数会影响MOSFET栅压建立时间，所以LZ认为的交流取电流也有道理。可以说高阻前级驱动MOSFET是没法保真的。染色暖的效果明显。

无语密码

场效应管采用的不是电压驱动，也不会采用电流驱动
几乎所有的驱动都是限流驱动
驱动电流是由限流电阻决定的

超低失真之梦

牛骑兵 发表于 2017-8-29 07:27
多说一句，MOSFET输出级和达林顿输出级的驱动比较，其实有一个最直观的案例，那就是国半的LME49810和LME498 ...

49830 是专门推mos的  它的输出结构是针对mos 充放电特性设计， 主要区别是可以无需下臂导通在上臂即可给mos放电。加快了放电时间。尤其并管多的情况效果明显。提高了保真度。

超低失真之梦

扬帆远航 发表于 2017-8-29 07:52
DC就是不取电流，但交流由于前级阻抗R同栅容C所产生的时间常数会影响MOSFET栅压建立时间，所以LZ认为的交流 ...

实际电路中都会给mos 栅极串电阻，以增加你所说的栅压建立时间，   而不是想办法减小建立时间。

univers

石城 发表于 2017-8-8 21:59
不是场管须要大电流推动.而是作为推动的BJT因为工作电流加大,线性也会相应加大吧.

在线性区内加在电流会有明显改善。

univers

牛骑兵 发表于 2017-8-29 07:21
楼主的说法是正确的！

主要还是Cgs和Cgd寄生电容的影响，尤其是Cgd。因为Cgd是个密勒电容，在整个输出 ...

楼主所言正是，给200分

univers

扬帆远航 发表于 2017-8-29 07:52
DC就是不取电流，但交流由于前级阻抗R同栅容C所产生的时间常数会影响MOSFET栅压建立时间，所以LZ认为的交流 ...

楼主说的100分

univers

UHC 准互补正温场效应管IRFP260功放 PCB（2N3958+IRFP260）
想体验的可以玩一下。

牛骑兵

超低失真之梦 发表于 2017-8-29 10:30
实际电路中都会给mos 栅极串电阻，以增加你所说的栅压建立时间，   而不是想办法减小建立时间。

这个栅极串联电阻对于栅压建立时间的影响不算大，应该不是关键目的。

更加关键的目的，应该是通过这个电阻，把MOSFET栅极的电容效应，与电压驱动级隔离，改善电压
驱动级的负载阻尼，避免电压驱动级振荡。特别是当多管并联时，分别接栅极电阻对于避免振荡尤其
重要。

稍微计算就可以知道，栅极电容一般是在nF量级，增加个几十欧姆的栅极电阻，对栅压建立时间的影
响，也就是几十个纳秒的量级。

bnm

楼主讲的很好，举的LME49810和49830的例子也很有说服力。