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楼主 |
发表于 2016-11-3 08:03
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本帖最后由 WUYZHI 于 2016-11-3 08:04 编辑
其实,电子电路的负反馈问题已经研究得十分透彻了,对于各种不同形式反馈的计算都非常准确完善,这对于一般的设计应用已经足够了。虽然是这样,但对一些反馈问题的缘由人们未必真正搞清楚了,随之而来的问题就是对一个具体电路的分析或解释说不明道不白,经不起反问。如电压负反馈为什么可以降低电子管内阻,电流负反馈为什么又会升高电子管内阻等等。这些问题如果不结合电路工作的物理过程去思考是很难找到答案的。
大家都知道,电子管内阻是电子管增量屏压与增量屏流之比,表示为:Ro=ΔUp/ΔIp。很明显,这两个变量只要其中一个发生变化,都会影响到Ro的变化。这个算式还表明内阻就是屏压对屏流的控制能力。内阻越大的管子,屏压对屏流的控制能力就越弱,反之,控制能力就越强。
现在我们看一个最简单的电子管负反馈电路:电子管的屏极输出电压相位与栅极输入的电压相位相反,若将屏极电压反馈到栅极,就是一个最简单的电压负反馈电路。观察这个电路我们会发现:由于屏极电压反馈到了栅极,原来单纯由屏极电压控制的屏流,现在由屏压和栅压共同进行控制。由于栅极离阴极很近,栅压对屏流的控制能力很强,在反馈电压的作用下,将使电子管屏流产生很大变化,这个变化,使电子管表现出了很低的内阻,这就是电子管加了电压负反馈后输出阻抗降低的根本原因。
下面用一个流程图来描述电压负反馈降低电子管内阻的过程,
ΔUp↑→ΔIp↑→ΔIdp=ΔIp+ΔIgp↑→Rdo=ΔUp/ΔIdp↓。
ΔIdp:加负反馈后的等效屏流变化增量,单位mA。
ΔIgp:由栅极控制的屏流变化量增量,单位mA,量值为B·S(B:反馈系数,S电子管跨导mA/v)。
Rdo:等效输出阻抗(等效屏阻)。
从上面的流程图可以看出,引起Rdo下降的根本原因是:栅极引起的屏流变化量增量ΔIgp“远大于”原来的屏流变化量增量ΔIp的缘故。一般情况,根据反馈系数B的不同,ΔUIgp的增幅可为ΔIp增幅的数十倍至数百倍之多。以6P15为例,不加负反馈时,内阻为100k,当屏极负载阻抗为1k时,加入50%的(反馈系数B=0.5)电压负反馈,输出阻抗就变成167Ω了,其阻抗变化相差竟达599倍,可见栅压控制屏流的作用之巨大。
有了上述认识,再来分析具体的实用电路就不会有什么困难了。 |
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