砸个大三肯管2sc2922看看什么情况

zj91842

现在的新管是不敢用了。在原音买的三肯上机有点失真，淘了拆机的用了声音正常！！！

qinpin

曹伟 发表于 2015-10-13 11:18
胸弟给个进口的看看？

你这是真货色。。。。。

624187351

只看图。不说话

wegawang

曹伟 发表于 2015-10-13 11:00
这种是真的，我曾经也以为这种是假的，直到2年前从一台日本Yamaha功放里面拆了一只这种管子，砸开里面看 ...

中国的假货已经做到以假乱真，关键是听声音验货，这个是王道

追寻Hi-Fi的旅程

内部是这样的，好像是假的

追寻Hi-Fi的旅程

你看，它里面封装了一只比较小的管子

无语密码

感觉不真，主要是因为芯片偏移

无语密码

追寻Hi-Fi的旅程 发表于 2016-8-4 12:52
你看，它里面封装了一只比较小的管子

三重扩散的结构、

无语密码

追寻Hi-Fi的旅程 发表于 2016-8-4 12:52
你看，它里面封装了一只比较小的管子

三重扩散的结构
明白了就会自己自作三重扩散

gyfahhf2006

第三条腿呢，拆开没看到第三条腿上哪去了、

machaoan

我也砸一个看看

Lou

无语密码 发表于 2016-8-5 19:43
三重扩散的结构
明白了就会自己自作三重扩散

三重擴散是半導體製程的一種，有時需要用到攝氏 1800°C 的高溫以及特殊的石英管。

你也可以自己做 ?

无语密码

Lou 发表于 2018-3-25 08:58
三重擴散是半導體製程的一種，有時需要用到攝氏 1800°C 的高溫以及特殊的石英管。

你也可以自己做  ...

难道是先做好二块铜连接，再熔硅片吗？
好像这个两块铜不是100%接触的
单位的仪器，主要是上900度

Lou

无语密码 发表于 2018-3-25 10:45
难道是先做好二块铜连接，再熔硅片吗？
好像这个两块铜不是100%接触的
单位的仪器，主要是上900度

三重擴散, 跟用三塊金屬板堆在一起，熱量由一塊散熱到另一塊，再散到另一塊毫無關係 !

三重擴散是半導體製程的一種 !

你能上 Google 嗎?

以下為部分節錄. 討論的是如何改進 1970 年代的三重擴散技術.

https://patents.google.com/patent/CN101383288A/zh

三重扩散片制作功率晶体管的方法早在上世纪七十年代就已成熟，由于晶 体管的集电区、基区、发射区皆由扩散方法获得，因此上述制取N-7N+基片结构 的方法被称为三重扩散工艺。当前三重扩散技术已成为半导体制造业的一门重 要技术。三重扩散晶体管的特点是以晶格完整的优质高阻硅单晶材料代替高阻 硅外延材料来制造PN结核心部分，而仅起基础支撑作用的低阻N+层则由较低成 本的N型杂质向硅中扩散形成，从而避开外延材料的各种缺陷影响，得到较高性 价比的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（功率DMOSFET)。 发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管（功率DMOSFET)的方法。 包括如下步骤：

1)在硅单晶片整个面上预扩散N+半导体杂质；2) 在12601300"C温度下，进行100250小时硅内预扩散N+杂质的推结；

3) 研磨去除一表面的N+扩散层并抛光N-面为镜面；

4) 在N-7N+硅基片上制成金属-氧化物-半导体场效应晶体管（功率 DMOSFET)。

所述的步骤l)中杂质预扩散的时间为24小时，温度为U00125(TC。 所述的步骤2)中温度为12701290°C，扩散时间为100250小时。 所述的步骤4)中，N+层的厚度为150微米-220微米。 本发明的优点是革除了常规采用材料成本高的硅外延片制造金属-氧化物-...........

无语密码

谢谢！
我被他骗了

CreaNSR

确实，半导体片上制程与封装金属背板没有任何关系

超低失真之梦

akg-audio 发表于 2015-10-15 21:37
三垦的 外延平面 技术 也就是所谓的2片紫铜金属块叠加在一起 就构成了外延平面 技术

  真是这样？   那也太没技术了，这技术我也会。还能外延的更大。

sdlhhh76713

绝对真管！可惜啦，老铁

旭华电子IC

砸个角能看到大管的铜就行了 还能用的 这么砸就废了

352917016

曹伟 发表于 2015-10-13 10:41
必须真的

可惜了