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坛上贴出的用表测量晶体管的电路,电路虽然都很简单,但功能都很弱,大部分只能定性测量配对,不能定量测量配对;只能测量某类型管子,如果测量另一种类型需要重新接线;使用起来不方便。
我设计这个电路虽然复杂一点,但能够测量PNP\NPN\PMOS\NMOS类型管子,并且测量条件是固定集电极/漏极电流方式,比恒定基极电流测量方式更规范。
测量NPN时,需要XMM1,J1 J2达到N型,选择需要测量的Ic量程电阻,插上管子,XMM1上的电流值正比于管子的hfe。
测量NMOS,需要XMM2,但此时无需要测量栅极电流,因此XMM1短路,J1 J2打到N型,插上管子,XMM2上的电压就是对应改漏极电流下的Vgs。
测量PNP和PMOS和N型一样,只不过J1 J2选择P型。
如果想配对BJT管子的Vbe,方法和MOS一样。
电路图如下:
J3 J8 J9分别是电流量程开关,J1 J2是双刀双择开关,控制测量是P型还是N型。
XMM1是电流表;XMM2是电压表,实际测量时看要测什么数据,只需其中一个就行了。
为了说明测量原理,分别说明一下这个电路测量NPN和NMOS时的原理,J1 J2打到下面,即如下电路:
此时U1的反向输入端的电位是恒定在Vcc-1V,U1和被测管组成一个闭环,所以量程电阻上的压降也是1V,根据选择的量程电阻,测管集电极电流固定为100mA、10mA、1mA、10uA。此时XMM1上的电流就是基极电流,可以直读基极电流,就得到管子的hfe。
如果此时被测的是NMOS,那么直读XMM2就是对应Id=100mA、10mA、1mA、10uA下的Vgs电压。这个10uA下对应的电压可以认为是这支管的开通电压。
此时U2差不多可以忽略,无论此时U2输出端是Vcc电平还是0电平,因为有二极管的作用,只有当U2输出0时,才会对U1输出有最大分流,但不会影响XMM1的基极电流测量。并且在U1的闭环内,U1完全有能力驱动后面的管子。如果是测量NMOS,即使此时U2输出0电位,会对U1的输出电压有1/2的分压,但U1最大输出电压有13V,分掉一半,仍旧有0-6V的Vgs电压驱动被测管。
C1 R15是防止振荡的补偿电路。
如果测量P型管,J1 J2打到P型位置,电路图简化如下图
此时由于D1作用,U1不起作用,U2起作用,其反向输入端接的R2上的1V基准电压,原理描述和NPN类似
因为测量N型时,运放的输入端接的电位接近Vcc,所以要求运放的共模输入电压能达到Vcc,但测量P型时,又需要运放的共模电压为0,如果用rail-to-rail input的运放,那么U1 U2可以合并成一个即可,但rail-to-rail input的运放价格较贵,所以分别用一只TL072和LM358代替。并且运放输出端各自需要二极管隔离。
这个电路测量耗尽型FET管还不行,还未想到如何将JFET管的测量整合进去。 |
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