高音衰减电阻的位置
3分频,高音太刺加个2欧的电阻,发现加在这3处声音都有区别,请问加在哪儿比较合理?谢谢~
一般在a位置,c也行,但b位置比较少见,似乎不可行? gdhzg 发表于 2013-7-21 09:08 static/image/common/back.gif
一般在a位置,c也行,但b位置比较少见,似乎不可行?
谢谢您的解答,这样我就放心了。
的确加在c感觉‘衰减’太大 惠威的A系列分频器一般设计在A位置。 在a处的话,不同的电阻,截止频率也不同,调试的话,麻烦的! a处比较合理吧 这是我看书里介绍的,感觉在c好,而且用2个电阻,一个并一个串,不知道理论和实际是否有偏差
我的观点还是靠耳朵来决定位置 我喜欢用在C 加在A次可以了 加在A处好,C是在滤波后,实际改变了滤波后的阻抗,分频点也变了。 加在A基本不改变分频网络的参数,加在B、C都会改变分频网络的参数,如果你的频响曲线已经接近理想了,只是想衰减一点高音,那么加在A微调一下不会带来大的麻烦,如果加在其他位置可能会带来你不希望看到的改变。但是如果从调试一开始就将该电阻作为衰减高音和调整阻抗的措施,加在B、C都是可以的,但是要根据频响曲线来修正电容和电感值。 coolman1977 发表于 2014-1-7 16:14 static/image/common/back.gif
加在A基本不改变分频网络的参数,加在B、C都会改变分频网络的参数,如果你的频响曲线已经接近理想了,只是想 ...
如果在A处,C处各加一个电阻,是否相当于在A处或C处加了一个这两个电阻的和?例如说A处加2.2,C处加2.2,等于A处或C处加4.4电阻? 本帖最后由 zf45 于 2014-1-8 07:58 编辑
A处,是功放侧衰减,频响曲线,高频上升中高频下降,负载处不会阻抗无变化,加了后分频点一致。
B处,也是功放侧衰减,但分频点较低,负载处不会阻抗无变化。
C处,是负载处摔减,负载处阻抗增加,增大电阻,频响中段不变,高频段下降,分频点也变化
配胆机的话,4欧高音必须得用C处方式 A点和B点在电路上是等效的吧。。。。。。哪来的区别?? 不懂 学习吧 除了这三种,我还见过并在高频分频电容上的。 神兵作坊 发表于 2014-11-26 11:44 static/image/common/back.gif
除了这三种,我还见过并在高频分频电容上的。
那是陷波电路吧 a点b
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